一种基于铌酸锂薄膜的大模斑水平端面耦合器

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202110890825.5

申请日：

2021-08-04

公开(公告)号：

CN113777711B

公开(公告)日：

2021-12-10

发明(设计)人：

夏金松胡畅然曾成瞿智成

申请人：

申请人地址：

430074 湖北省武汉市洪山区珞喻路1037号

IPC主分类号：

G02B626

IPC分类号：

G02B614

代理机构：

华中科技大学专利中心 42201

代理人：

刘洋洋

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2022-09-16	授权	授权
2021-12-10	公开	公开
2021-12-28	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):G02B 6/26 申请日:20210804

共 50 条

[1]

薄膜钽酸锂大模斑端面耦合器 [P].

陶诗琦 ;

袁帅 ;

孙昊骋 .

中国专利 :CN223692544U ,2025-12-19

[2]

一种基于铌酸锂薄膜的脊形波导端面耦合器 [P].

尹志军 ;

汤济 ;

崔国新 ;

许志城 .

中国专利 :CN113820801B ,2021-12-21

[3]

基于薄膜铌酸锂的多模干涉耦合器 [P].

宋树祥 ;

李海盛 ;

蔡超波 ;

唐晓虎 ;

岑明灿 .

中国专利 :CN223308415U ,2025-09-05

[4]

基于薄膜铌酸锂的多模干涉耦合器 [P].

宋树祥 ;

李海盛 ;

蔡超波 ;

唐晓虎 ;

岑明灿 .

中国专利 :CN119291847A ,2025-01-10

[5]

一种铌酸锂薄膜脊波导端面耦合器及其制备方法 [P].

谢树果 ;

田雨墨 ;

郭子贤 ;

杨燕 .

中国专利 :CN115144965A ,2022-10-04

[6]

一种基于铌酸锂薄膜的宽带端面耦合器及其制备方法 [P].

蔡鑫伦 ;

刘潇月 .

中国专利 :CN113568106B ,2021-10-29

[7]

一种基于硅和铌酸锂复合薄膜的端面耦合器 [P].

李青云 ;

胡卉 ;

张洪湖 ;

朱厚彬 .

中国专利 :CN115373082A ,2022-11-22

[8]

一种基于硅和铌酸锂复合薄膜的端面耦合器 [P].

李青云 ;

胡卉 ;

张洪湖 ;

朱厚彬 .

中国专利 :CN115373082B ,2024-10-11

[9]

一种薄膜铌酸锂端面耦合器及其制备方法 [P].

孙军强 ;

张天衡 .

中国专利 :CN119644510B ,2025-11-21

[10]

一种薄膜铌酸锂端面耦合器及其制备方法 [P].

孙军强 ;

张天衡 .

中国专利 :CN119644510A ,2025-03-18

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