一种基于铌酸锂薄膜的宽带端面耦合器及其制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202110827558.7

申请日：

2021-07-21

公开(公告)号：

CN113568106B

公开(公告)日：

2021-10-29

发明(设计)人：

蔡鑫伦刘潇月

申请人：

申请人地址：

510275 广东省广州市海珠区新港西路135号

IPC主分类号：

G02B626

IPC分类号：

G02B6122 G02B6138 G02B6136

代理机构：

广州粤高专利商标代理有限公司 44102

代理人：

刘俊

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2021-11-16	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):G02B 6/26 申请日:20210721
2021-10-29	公开	公开
2022-07-26	授权	授权

共 50 条

[1]

一种铌酸锂薄膜脊波导端面耦合器及其制备方法 [P].

谢树果 ;

田雨墨 ;

郭子贤 ;

杨燕 .

中国专利 :CN115144965A ,2022-10-04

[2]

一种薄膜铌酸锂端面耦合器及其制备方法 [P].

孙军强 ;

张天衡 .

中国专利 :CN119644510B ,2025-11-21

[3]

一种薄膜铌酸锂端面耦合器及其制备方法 [P].

孙军强 ;

张天衡 .

中国专利 :CN119644510A ,2025-03-18

[4]

一种基于铌酸锂薄膜的脊形波导端面耦合器 [P].

尹志军 ;

汤济 ;

崔国新 ;

许志城 .

中国专利 :CN113820801B ,2021-12-21

[5]

一种基于光纤与铌酸锂波导耦合的端面耦合器及其制备方法 [P].

蔡鑫伦 ;

高升谦 .

中国专利 :CN115793140B ,2025-10-28

[6]

一种基于铌酸锂薄膜的大模斑水平端面耦合器 [P].

夏金松 ;

胡畅然 ;

曾成 ;

瞿智成 .

中国专利 :CN113777711B ,2021-12-10

[7]

高工艺容差的薄膜铌酸锂端面耦合器及其制备方法 [P].

李金野 ;

刘建国 ;

李润 .

中国专利 :CN118377084B ,2024-09-17

[8]

高工艺容差的薄膜铌酸锂端面耦合器及其制备方法 [P].

李金野 ;

刘建国 ;

李润 .

中国专利 :CN118377084A ,2024-07-23

[9]

一种基于硅和铌酸锂复合薄膜的端面耦合器 [P].

李青云 ;

胡卉 ;

张洪湖 ;

朱厚彬 .

中国专利 :CN115373082A ,2022-11-22

[10]

一种基于硅和铌酸锂复合薄膜的端面耦合器 [P].

李青云 ;

胡卉 ;

张洪湖 ;

朱厚彬 .

中国专利 :CN115373082B ,2024-10-11

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