一种基于薄膜铌酸锂的片上起偏器及其制作方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202111153676.0

申请日：

2021-09-29

公开(公告)号：

CN113848611B

公开(公告)日：

2021-12-28

发明(设计)人：

王宣皓陶诗琦曾成孙昊骋

申请人：

申请人地址：

201803 上海市嘉定区金沙江西路1555弄390号3层319室

IPC主分类号：

G02B6126

IPC分类号：

G02B6122 G02B6125 G02B613

代理机构：

北京东方盛凡知识产权代理事务所(普通合伙) 11562

代理人：

李娜

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2022-01-14	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):G02B 6/126 申请日:20210929
2022-05-24	授权	授权
2021-12-28	公开	公开

共 50 条

[1]

一种薄膜铌酸锂起偏器及其制作方法 [P].

张钰 ;

梁雪瑞 ;

喻千尘 ;

陈宏刚 ;

张博 ;

罗勇 ;

马卫东 ;

胡强高 ;

陈珣 ;

颜伟 .

中国专利 :CN120386063A ,2025-07-29

[2]

一种基于薄膜铌酸锂的多模干涉耦合器型起偏器 [P].

陶诗琦 ;

孙昊骋 ;

袁帅 .

中国专利 :CN115032743A ,2022-09-09

[3]

一种基于铌酸锂薄膜的定向耦合式片上起偏结构 [P].

谢树果 ;

张鑫宇 ;

杨燕 ;

田雨墨 ;

郭子贤 ;

张申达 .

中国专利 :CN119846774A ,2025-04-18

[4]

一种薄膜铌酸锂的起偏器及其制备方法 [P].

韩风阳 ;

李俊慧 .

中国专利 :CN120428380B ,2025-09-12

[5]

一种薄膜铌酸锂的起偏器及其制备方法 [P].

韩风阳 ;

李俊慧 .

中国专利 :CN120428380A ,2025-08-05

[6]

一种基于薄膜铌酸锂的偏振控制器及其应用 [P].

张祖琛 ;

陈思妍 ;

宋凝芳 ;

郭治宇 ;

王晓伟 .

中国专利 :CN118276233A ,2024-07-02

[7]

一种基于薄膜铌酸锂的偏振控制器及其应用 [P].

张祖琛 ;

陈思妍 ;

宋凝芳 ;

郭治宇 ;

王晓伟 .

中国专利 :CN118276233B ,2025-07-29

[8]

铌酸锂单晶薄膜及其制作方法 [P].

周赤 ;

吉贵军 ;

刘昆 ;

张大鹏 ;

王兴龙 .

中国专利 :CN112410885A ,2021-02-26

[9]

一种薄膜铌酸锂波导起偏器 [P].

国伟华 ;

张雨丹 ;

陆巧银 .

中国专利 :CN119087582A ,2024-12-06

[10]

铌酸锂单晶薄膜芯片及其制作方法 [P].

周赤 ;

吉贵军 ;

刘昆 ;

张大鹏 ;

王兴龙 .

中国专利 :CN112540428A ,2021-03-23

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