氟化物晶体的制造装置

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200480010535.1

申请日：

2004-04-23

公开(公告)号：

CN100465357C

公开(公告)日：

2006-05-24

发明(设计)人：

福田承生菊山裕久里永知彦

申请人：

申请人地址：

日本大阪府

IPC主分类号：

C30B2912

IPC分类号：

C30B1508

代理机构：

永新专利商标代理有限公司

代理人：

陈建全

法律状态：

专利权的终止

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2018-05-18	专利权的终止	未缴年费专利权终止 IPC(主分类):C30B 29/12 申请日:20040423 授权公告日:20090304 终止日期:20170423
2006-05-24	公开	公开
2009-03-04	授权	授权
2006-07-19	实质审查的生效	实质审查的生效

共 50 条

[1]

氟化物晶体的制造方法 [P].

里永知彦 ;

菊山裕久 ;

福田承生 .

中国专利 :CN1823183A ,2006-08-23

[2]

预处理金属氟化物及氟化物晶体的制造方法 [P].

石津澄人 ;

关屋章 ;

福田健太郎 ;

须山敏尚 .

中国专利 :CN102026914A ,2011-04-20

[3]

糖基氟化物的制造 [P].

H·日利特斯卡娅 ;

K·凯特尔豪特 ;

G·戴卡尼 ;

G·奥斯特洛夫斯基 ;

F·霍瓦特 .

:CN119213003A ,2024-12-27

[4]

稀土离子掺杂氟化物晶体的应用 [P].

郑丽和 ;

吴敏 ;

赵建斌 ;

杨洁 ;

吴鑫昌 ;

闫育辉 .

中国专利 :CN116043331B ,2025-08-05

[5]

氟化物气体的制造方法 [P].

胁雅秀 ;

薮根辰弘 ;

宫本和博 ;

平野一孝 .

中国专利 :CN102099286A ,2011-06-15

[6]

氟化物离子电池和氟化物离子电池的制造方法 [P].

当寺盛健志 .

日本专利 :CN117352721A ,2024-01-05

[7]

光刻用透射UV的混合氟化物晶体 [P].

D·C·埃兰 ;

N·F·博雷利 ;

C·M·史密斯 ;

R·W·斯派罗 .

中国专利 :CN1555499A ,2004-12-15

[8]

氟化物荧光体、发光装置和氟化物荧光体的制造方法 [P].

吉田智一 .

中国专利 :CN111826157A ,2020-10-27

[9]

氟化物荧光体、发光装置及氟化物荧光体的制造方法 [P].

吉田智一 .

中国专利 :CN111378443A ,2020-07-07

[10]

氟化物荧光体、发光装置及氟化物荧光体的制造方法 [P].

吉田智一 .

日本专利 :CN111378443B ,2024-07-23

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