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光刻用透射UV的混合氟化物晶体
被引:0
专利类型
:
发明
申请号
:
CN02817909.9
申请日
:
2002-09-13
公开(公告)号
:
CN1555499A
公开(公告)日
:
2004-12-15
发明(设计)人
:
D·C·埃兰
N·F·博雷利
C·M·史密斯
R·W·斯派罗
申请人
:
申请人地址
:
美国纽约州
IPC主分类号
:
G02B520
IPC分类号
:
G02B1100
G03F100
G03C500
代理机构
:
上海专利商标事务所
代理人
:
朱黎明
法律状态
:
实质审查的生效
国省代码
:
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法律状态
法律状态公告日
法律状态
法律状态信息
2005-02-16
实质审查的生效
实质审查的生效
2006-10-18
发明专利申请公布后的视为撤回
发明专利申请公布后的视为撤回
2004-12-15
公开
公开
共 50 条
[1]
光刻法和空间色散最小化的紫外透射氟化物晶体
[P].
D·C·艾伦
论文数:
0
引用数:
0
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0
D·C·艾伦
;
N·F·保雷利
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N·F·保雷利
;
C·M·史密斯
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C·M·史密斯
;
R·W·斯派罗
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R·W·斯派罗
.
中国专利
:CN1555500A
,2004-12-15
[2]
氟化物晶体的制造方法
[P].
里永知彦
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里永知彦
;
菊山裕久
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菊山裕久
;
福田承生
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福田承生
.
中国专利
:CN1823183A
,2006-08-23
[3]
氟化物晶体的制造装置
[P].
福田承生
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福田承生
;
菊山裕久
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菊山裕久
;
里永知彦
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里永知彦
.
中国专利
:CN100465357C
,2006-05-24
[4]
稀土离子掺杂氟化物晶体的应用
[P].
论文数:
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机构:
郑丽和
;
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机构:
吴敏
;
论文数:
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机构:
赵建斌
;
论文数:
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机构:
杨洁
;
论文数:
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机构:
吴鑫昌
;
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机构:
闫育辉
.
中国专利
:CN116043331B
,2025-08-05
[5]
预处理金属氟化物及氟化物晶体的制造方法
[P].
石津澄人
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石津澄人
;
关屋章
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关屋章
;
福田健太郎
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福田健太郎
;
须山敏尚
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须山敏尚
.
中国专利
:CN102026914A
,2011-04-20
[6]
用于显微光刻系统的氟化物透镜晶体
[P].
R·W·斯帕罗
论文数:
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0
R·W·斯帕罗
.
中国专利
:CN1367878A
,2002-09-04
[7]
光学制版用的氟化物晶体透镜的坯体
[P].
A·M·马约利
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A·M·马约利
;
M·A·佩尔
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M·A·佩尔
.
中国专利
:CN1429285A
,2003-07-09
[8]
同时生长多根氟化物晶体材料的坩埚
[P].
郭宗海
论文数:
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郭宗海
;
张可生
论文数:
0
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0
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张可生
.
中国专利
:CN208667892U
,2019-03-29
[9]
氟化物离子电池、氟化物离子电池用的负极活性物质及其制造方法
[P].
野井浩祐
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机构:
丰田自动车株式会社
丰田自动车株式会社
野井浩祐
.
日本专利
:CN118693250A
,2024-09-24
[10]
三氟化物和四氟化物的制备方法
[P].
A·皮加莫
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A·皮加莫
;
M·德维克
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M·德维克
;
L·文德林格尔
论文数:
0
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0
L·文德林格尔
.
中国专利
:CN102143930A
,2011-08-03
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