一种用于半导体硅片电泳的装置

被引：0

专利类型：

实用新型

申请号：

CN201620281434.8

申请日：

2016-04-06

公开(公告)号：

CN205616974U

公开(公告)日：

2016-10-05

发明(设计)人：

靳立辉张学强贾弘源王国瑞高树良

申请人：

申请人地址：

300384 天津市滨海新区高新区新技术产业园区华苑产业区（环外）海泰东路12号

IPC主分类号：

C25D1300

IPC分类号：

代理机构：

天津滨海科纬知识产权代理有限公司 12211

代理人：

陈雅洁

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2016-10-05	授权	授权

共 50 条

[1]

一种半导体硅片电泳装置 [P].

祝凯 ;

吾超凤 ;

王雅妹 .

中国专利 :CN214529283U ,2021-10-29

[2]

一种用于半导体硅片的检测装置 [P].

翁裕斌 ;

朱峰 ;

翁伊宁 .

中国专利 :CN217084032U ,2022-07-29

[3]

一种用于半导体硅片的切圆装置 [P].

尤红权 ;

陈磊 ;

施剑 .

中国专利 :CN217372939U ,2022-09-06

[4]

一种半导体硅片的检测装置 [P].

祝凯 ;

吾超凤 ;

王雅妹 .

中国专利 :CN214010364U ,2021-08-20

[5]

一种半导体硅片检测装置 [P].

易正瑜 ;

廖毅 ;

郑彦 ;

王素强 .

中国专利 :CN222279708U ,2024-12-31

[6]

一种半导体硅片覆层检测装置 [P].

夏倩 .

中国专利 :CN206990529U ,2018-02-09

[7]

一种半导体硅片覆层检测装置 [P].

包璐璐 .

中国专利 :CN221445821U ,2024-07-30

[8]

一种半导体硅片覆层检测装置 [P].

王宁 .

中国专利 :CN213517028U ,2021-06-22

[9]

一种用于半导体硅片快速退火的装置 [P].

孙新利 ;

万喜增 ;

蒋伟达 ;

郑六奎 .

中国专利 :CN202730307U ,2013-02-13

[10]

一种用于半导体硅片快速退火的装置 [P].

王海霖 .

中国专利 :CN213833260U ,2021-07-30

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