一种用于半导体硅片快速退火的装置

被引：0

专利类型：

实用新型

申请号：

CN202022244956.X

申请日：

2020-10-11

公开(公告)号：

CN213833260U

公开(公告)日：

2021-07-30

发明(设计)人：

王海霖

申请人：

申请人地址：

510000 广东省广州市白云区人和镇华盛北路22号

IPC主分类号：

B65G1558

IPC分类号：

B65G4907 H01L21324 H01L21677 C30B3302

代理机构：

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法律状态：

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国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2021-07-30	授权	授权
2021-12-17	专利申请权、专利权的转移	专利权的转移 IPC(主分类):B65G 15/58 登记生效日:20211206 变更事项:专利权人变更前权利人:王海霖变更后权利人:上海一三二二智能科技有限公司变更事项:地址变更前权利人:510000 广东省广州市白云区人和镇华盛北路22号变更后权利人:200000 上海市宝山区地杰路58号1幢1层D区774室

共 50 条

[1]

用于半导体硅片快速退火的装置 [P].

孙新利 ;

万喜增 ;

蒋伟达 ;

郑六奎 .

中国专利 :CN202730308U ,2013-02-13

[2]

一种用于半导体硅片快速退火的装置 [P].

孙新利 ;

万喜增 ;

蒋伟达 ;

郑六奎 .

中国专利 :CN202730307U ,2013-02-13

[3]

用于半导体硅片快速退火的装置 [P].

孙新利 ;

万喜增 ;

蒋伟达 ;

郑六奎 .

中国专利 :CN102877134B ,2013-01-16

[4]

一种用于半导体硅片快速退火的装置 [P].

孙新利 ;

万喜增 ;

蒋伟达 ;

郑六奎 .

中国专利 :CN102912448A ,2013-02-06

[5]

一种用于半导体硅片的检测装置 [P].

翁裕斌 ;

朱峰 ;

翁伊宁 .

中国专利 :CN217084032U ,2022-07-29

[6]

一种用于半导体硅片电泳的装置 [P].

靳立辉 ;

张学强 ;

贾弘源 ;

王国瑞 ;

高树良 .

中国专利 :CN205616974U ,2016-10-05

[7]

一种用于半导体硅片的切圆装置 [P].

尤红权 ;

陈磊 ;

施剑 .

中国专利 :CN217372939U ,2022-09-06

[8]

一种半导体硅片覆层检测装置 [P].

夏倩 .

中国专利 :CN206990529U ,2018-02-09

[9]

一种半导体硅片双面退火方法及装置 [P].

周炯 ;

闻人青青 ;

孟春霞 .

中国专利 :CN104810261A ,2015-07-29

[10]

一种半导体硅片的检测装置 [P].

祝凯 ;

吾超凤 ;

王雅妹 .

中国专利 :CN214010364U ,2021-08-20

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