用于半导体硅片快速退火的装置

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201210337165.9

申请日：

2012-09-13

公开(公告)号：

CN102877134B

公开(公告)日：

2013-01-16

发明(设计)人：

孙新利万喜增蒋伟达郑六奎

申请人：

申请人地址：

313100 浙江省湖州市长兴县县前东街1299号

IPC主分类号：

C30B3302

IPC分类号：

代理机构：

杭州华鼎知识产权代理事务所(普通合伙) 33217

代理人：

胡根良

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2013-01-16	公开	公开
2015-09-02	专利权人的姓名或者名称、地址的变更	专利权人的姓名或者名称、地址的变更号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101719961990 IPC(主分类):C30B 33/02 专利号:ZL2012103371659 变更事项:专利权人变更前:浙江长兴众成电子有限公司变更后:浙江中晶科技股份有限公司变更事项:地址变更前:313100 浙江省湖州市长兴县县前东街1299号变更后:313100 浙江省湖州市长兴县县前东街1299号
2013-02-27	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101401518282 IPC(主分类):C30B 33/02 专利申请号:2012103371659 申请日:20120913
2015-02-11	授权	授权

共 50 条

[1]

用于半导体硅片快速退火的装置 [P].

孙新利 ;

万喜增 ;

蒋伟达 ;

郑六奎 .

中国专利 :CN202730308U ,2013-02-13

[2]

一种用于半导体硅片快速退火的装置 [P].

孙新利 ;

万喜增 ;

蒋伟达 ;

郑六奎 .

中国专利 :CN102912448A ,2013-02-06

[3]

一种用于半导体硅片快速退火的装置 [P].

孙新利 ;

万喜增 ;

蒋伟达 ;

郑六奎 .

中国专利 :CN202730307U ,2013-02-13

[4]

一种用于半导体硅片快速退火的装置 [P].

王海霖 .

中国专利 :CN213833260U ,2021-07-30

[5]

应用于光电半导体硅片的退火温度控制方法 [P].

冯文丽 ;

张国峰 ;

郭党 ;

杜珂 ;

金刚 .

中国专利 :CN119179354A ,2024-12-24

[6]

应用于光电半导体硅片的退火温度控制方法 [P].

冯文丽 ;

张国峰 ;

郭党 ;

杜珂 ;

金刚 .

中国专利 :CN119179354B ,2025-02-25

[7]

半导体退火装置 [P].

小林和雄 ;

池上雅明 .

中国专利 :CN106688080A ,2017-05-17

[8]

半导体密封磁力传动快速退火装置 [P].

史常忻 ;

忻尚衡 ;

李晓明 .

中国专利 :CN88211587U ,1988-12-28

[9]

半导体硅片的清洗装置 [P].

张晨骋 .

中国专利 :CN200997395Y ,2007-12-26

[10]

半导体装置的快速热退火方法 [P].

居建华 ;

宁先捷 .

中国专利 :CN102024699A ,2011-04-20

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