用于半导体硅片快速退火的装置

被引：0

专利类型：

实用新型

申请号：

CN201220464684.7

申请日：

2012-09-13

公开(公告)号：

CN202730308U

公开(公告)日：

2013-02-13

发明(设计)人：

孙新利万喜增蒋伟达郑六奎

申请人：

申请人地址：

313100 浙江省湖州市长兴县县前东街1299号

IPC主分类号：

C30B3302

IPC分类号：

代理机构：

杭州华鼎知识产权代理事务所(普通合伙) 33217

代理人：

胡根良

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2013-02-13	授权	授权
2015-02-11	避免重复授权放弃专利权	避免重复授权放弃专利权号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101710721350 IPC(主分类):C30B 33/02 专利号:ZL2012204646847 申请日:20120913 授权公告日:20130213 放弃生效日:20150211

共 50 条

[1]

用于半导体硅片快速退火的装置 [P].

孙新利 ;

万喜增 ;

蒋伟达 ;

郑六奎 .

中国专利 :CN102877134B ,2013-01-16

[2]

一种用于半导体硅片快速退火的装置 [P].

孙新利 ;

万喜增 ;

蒋伟达 ;

郑六奎 .

中国专利 :CN202730307U ,2013-02-13

[3]

一种用于半导体硅片快速退火的装置 [P].

孙新利 ;

万喜增 ;

蒋伟达 ;

郑六奎 .

中国专利 :CN102912448A ,2013-02-06

[4]

一种用于半导体硅片快速退火的装置 [P].

王海霖 .

中国专利 :CN213833260U ,2021-07-30

[5]

半导体硅片的清洗装置 [P].

张晨骋 .

中国专利 :CN200997395Y ,2007-12-26

[6]

用于半导体材料加工的硅片脱胶装置 [P].

高银辉 .

中国专利 :CN216174771U ,2022-04-05

[7]

半导体硅片清洗装置 [P].

张晨骋 .

中国专利 :CN201348988Y ,2009-11-18

[8]

半导体硅片脱胶装置 [P].

刘波 ;

赵延祥 ;

程博 ;

历莉 .

中国专利 :CN212041694U ,2020-12-01

[9]

应用于光电半导体硅片的退火温度控制方法 [P].

冯文丽 ;

张国峰 ;

郭党 ;

杜珂 ;

金刚 .

中国专利 :CN119179354A ,2024-12-24

[10]

应用于光电半导体硅片的退火温度控制方法 [P].

冯文丽 ;

张国峰 ;

郭党 ;

杜珂 ;

金刚 .

中国专利 :CN119179354B ,2025-02-25

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