一种插层聚吡咯纳米材料及其制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201810317783.4

申请日：

2018-04-10

公开(公告)号：

CN108342080A

公开(公告)日：

2018-07-31

发明(设计)人：

朱红艳

申请人：

申请人地址：

225321 江苏省泰州市高港区港城路111号

IPC主分类号：

C08L7904

IPC分类号：

C08L128 C08K336 C08K53477 C08G7306 C08K502 C08K517 C08K51535

代理机构：

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法律状态：

公开

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2018-07-31	公开	公开
2020-03-06	发明专利申请公布后的视为撤回	发明专利申请公布后的视为撤回 IPC(主分类):C08L 79/04 申请公布日:20180731
2018-08-24	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):C08L 79/04 申请日:20180410

共 50 条

[1]

一种插层聚吡咯纳米材料及其制备方法 [P].

查公祥 .

中国专利 :CN108410168A ,2018-08-17

[2]

一种溴化插层导电聚吡咯材料及其制备方法 [P].

朱晓 ;

张钦 .

中国专利 :CN111334040A ,2020-06-26

[3]

聚吡咯/石墨烯纳米复合材料及其制备 [P].

莫尊理 ;

高倩 ;

郭瑞斌 ;

刘鹏伟 ;

赵永霞 ;

冯超 .

中国专利 :CN102051048A ,2011-05-11

[4]

一种纳米材料掺杂聚吡咯膜及其制备方法 [P].

薛守庆 ;

薛兆民 ;

吴义芳 ;

刘庆华 ;

李风海 .

中国专利 :CN105038143B ,2015-11-11

[5]

聚吡咯/炭黑纳米复合材料及其制备方法 [P].

任丽 ;

王立新 ;

朱嫦娥 ;

安灏媛 .

中国专利 :CN1597781A ,2005-03-23

[6]

一种聚吡咯/二氧化硅纳米复合材料及其制备方法 [P].

王立新 ;

任丽 ;

赵金玲 ;

张福强 ;

李佐邦 ;

刘盘阁 .

中国专利 :CN1247630C ,2002-07-17

[7]

一种制备磁性纳米聚吡咯材料的方法 [P].

赵崇军 ;

陈俊 ;

王猛 ;

徐云龙 ;

钱秀珍 .

中国专利 :CN101928459A ,2010-12-29

[8]

一种聚吡咯导电材料及其制备方法 [P].

不公告发明人 .

中国专利 :CN108424644A ,2018-08-21

[9]

一种高温敏感纳米材料及其制备方法 [P].

王伯松 .

中国专利 :CN112759719A ,2021-05-07

[10]

一种聚吡咯原位插层石墨抗静电塑料及其制备方法 [P].

徐常威 ;

刘博财 ;

梁杰聪 .

中国专利 :CN109762328B ,2019-05-17

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