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一种溴化插层导电聚吡咯材料及其制备方法
被引:0
专利类型
:
发明
申请号
:
CN202010256411.2
申请日
:
2020-04-02
公开(公告)号
:
CN111334040A
公开(公告)日
:
2020-06-26
发明(设计)人
:
朱晓
张钦
申请人
:
申请人地址
:
723000 陕西省汉中市汉台区过街楼新村
IPC主分类号
:
C08L7904
IPC分类号
:
C08K904
C08K304
C08K537
C08K1306
C08G7306
代理机构
:
代理人
:
法律状态
:
实质审查的生效
国省代码
:
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法律状态
法律状态公告日
法律状态
法律状态信息
2020-12-08
实质审查的生效
实质审查的生效 IPC(主分类):C08L 79/04 申请日:20200402
2022-05-31
发明专利申请公布后的撤回
发明专利申请公布后的撤回 IPC(主分类):C08L 79/04 申请公布日:20200626
2020-06-26
公开
公开
共 50 条
[1]
一种插层聚吡咯纳米材料及其制备方法
[P].
朱红艳
论文数:
0
引用数:
0
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0
朱红艳
.
中国专利
:CN108342080A
,2018-07-31
[2]
一种插层聚吡咯纳米材料及其制备方法
[P].
查公祥
论文数:
0
引用数:
0
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0
查公祥
.
中国专利
:CN108410168A
,2018-08-17
[3]
一种聚吡咯导电材料及其制备方法
[P].
不公告发明人
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
不公告发明人
.
中国专利
:CN108424644A
,2018-08-21
[4]
一种聚乳酸纤维熔融聚吡咯材料及其制备方法
[P].
张津瑜
论文数:
0
引用数:
0
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0
张津瑜
;
雷珊珊
论文数:
0
引用数:
0
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0
雷珊珊
.
中国专利
:CN108047668B
,2018-05-18
[5]
一种聚乳酸纤维熔融聚吡咯材料及其制备方法
[P].
雷珊珊
论文数:
0
引用数:
0
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0
雷珊珊
.
中国专利
:CN110655768A
,2020-01-07
[6]
一种溴化插层蒙脱土改性尼龙材料及其制备方法
[P].
李学跃
论文数:
0
引用数:
0
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0
李学跃
.
中国专利
:CN108003609A
,2018-05-08
[7]
聚吡咯/石墨烯/稀土导电复合材料及其制备
[P].
莫尊理
论文数:
0
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0
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0
莫尊理
;
谢婷婷
论文数:
0
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谢婷婷
;
赵永霞
论文数:
0
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赵永霞
;
孙万虹
论文数:
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孙万虹
;
郭瑞斌
论文数:
0
引用数:
0
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0
郭瑞斌
.
中国专利
:CN102311643A
,2012-01-11
[8]
一种防腐聚噻吩导电材料及其制备方法
[P].
张德胜
论文数:
0
引用数:
0
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张德胜
.
中国专利
:CN108276563A
,2018-07-13
[9]
一种磷化掺杂耐热聚吡咯导电材料
[P].
杨阳
论文数:
0
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0
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杨阳
;
张宇
论文数:
0
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0
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0
张宇
.
中国专利
:CN108503830A
,2018-09-07
[10]
一种抗氧化聚吡咯导电材料的制备方法
[P].
杨阳
论文数:
0
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0
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杨阳
;
张宇
论文数:
0
引用数:
0
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0
张宇
.
中国专利
:CN108409963A
,2018-08-17
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