半导体装置的制造方法及半导体装置

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200510091989.2

申请日：

2005-08-15

公开(公告)号：

CN1744315A

公开(公告)日：

2006-03-08

发明(设计)人：

横山好彦西山佳秀

申请人：

申请人地址：

日本东京

IPC主分类号：

H01L25065

IPC分类号：

H01L2348 H01L2160

代理机构：

中科专利商标代理有限责任公司

代理人：

李香兰

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2008-11-19	授权	授权
2006-05-03	实质审查的生效	实质审查的生效
2012-05-30	专利申请权、专利权的转移	专利权的转移号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101363333886 IPC(主分类):H01L 25/065 专利号:ZL2005100919892 变更事项:专利权人变更前权利人:精工爱普生株式会社变更后权利人:三星电子株式会社变更事项:地址变更前权利人:日本东京变更后权利人:韩国京畿道登记生效日:20120419
2006-03-08	公开	公开

共 50 条

[1]

半导体装置及半导体装置的制造方法 [P].

奥村弘守 .

中国专利 :CN102576694A ,2012-07-11

[2]

半导体芯片的制造方法、半导体装置的制造方法、半导体芯片及半导体装置 [P].

谷田一真 ;

根本义彦 ;

田中直敬 .

中国专利 :CN1551312A ,2004-12-01

[3]

半导体装置和半导体装置的制造方法 [P].

仲村秀世 ;

堀尾真史 .

中国专利 :CN104160504B ,2014-11-19

[4]

半导体装置以及半导体装置的制造方法 [P].

小汲泰一 .

中国专利 :CN108364924A ,2018-08-03

[5]

半导体装置和半导体装置的制造方法 [P].

小川裕贵 .

中国专利 :CN112928092A ,2021-06-08

[6]

半导体装置及半导体装置的制造方法 [P].

广本秀树 ;

藤井贞雅 ;

山口恒守 .

中国专利 :CN100514592C ,2008-04-09

[7]

半导体装置及半导体装置的制造方法 [P].

洼内源宜 .

中国专利 :CN112786556A ,2021-05-11

[8]

半导体装置及半导体装置的制造方法 [P].

益本宽之 .

日本专利 :CN111816633B ,2024-06-11

[9]

半导体装置的制造方法及半导体装置 [P].

市村裕司 .

中国专利 :CN111293043A ,2020-06-16

[10]

半导体装置及半导体装置的制造方法 [P].

田畑光晴 .

中国专利 :CN107039408B ,2017-08-11

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