表面修饰非晶碳/碳纳米管‑聚偏氟乙烯高介电复合材料

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201610534721.X

申请日：

2016-07-08

公开(公告)号：

CN106243583A

公开(公告)日：

2016-12-21

发明(设计)人：

郭启凯薛庆忠陶保收张建强潘兴龙鲁文博

申请人：

申请人地址：

266580 山东省青岛市黄岛区长江西路66号

IPC主分类号：

C08L2716

IPC分类号：

C08K902 C08K910 C08K724

代理机构：

代理人：

法律状态：

发明专利申请公布后的视为撤回

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2020-01-31	发明专利申请公布后的视为撤回	发明专利申请公布后的视为撤回 IPC(主分类):C08L 27/16 申请公布日:20161221
2016-12-21	公开	公开

共 50 条

[1]

一种碳纳米管/石墨烯/聚偏氟乙烯介电复合材料及其制备方法 [P].

孟繁玲 ;

方晨宇 ;

孟凡博 .

中国专利 :CN113555217A ,2021-10-26

[2]

含有碳纳米管的高介电复合材料及其制备方法 [P].

南策文 ;

党智敏 ;

沈洋 .

中国专利 :CN1189512C ,2003-07-30

[3]

聚偏氟乙烯-端羧基多壁碳纳米管复合介电材料的制备方法 [P].

王海军 ;

李金祥 ;

王学川 .

中国专利 :CN104829976A ,2015-08-12

[4]

一种碳纳米管/非晶碳核壳结构-聚合物介电复合材料 [P].

薛庆忠 ;

郭启凯 ;

孙晋 ;

张忠阳 ;

夏富军 ;

雷拓 .

中国专利 :CN104151751B ,2014-11-19

[5]

含有碳纳米管类流体的高介电复合材料 [P].

雷佑安 ;

杜玲枝 ;

池吉安 ;

赵振新 ;

苗东利 ;

王要令 ;

胡延韶 .

中国专利 :CN102081990B ,2011-06-01

[6]

一种聚偏氟乙烯修饰碳纳米管的方法 [P].

许群 ;

何领好 .

中国专利 :CN101475162B ,2009-07-08

[7]

一种多孔聚偏氟乙烯-碳纳米管复合材料及其制备方法 [P].

杜飞鹏 ;

沈天涵 ;

谢岁岁 ;

张芳 ;

鄢国平 ;

李亮 ;

郭庆中 ;

张桥 .

中国专利 :CN104530614A ,2015-04-22

[8]

一种多壁碳纳米管/聚偏氟乙烯复合材料的制备方法 [P].

王磊 ;

欧阳文璟 ;

王广胜 ;

蔡阳伦 ;

林楚宏 ;

矫庆泽 ;

陈誉 ;

方彤炯 ;

关晓辉 .

中国专利 :CN108410084A ,2018-08-17

[9]

一种铌酸钾/聚偏氟乙烯高介电复合材料的制备方法 [P].

侯育冬 ;

葛海燕 ;

朱满康 ;

刘晶冰 ;

王如志 ;

张铭 ;

宋雪梅 ;

汪浩 ;

严辉 .

中国专利 :CN102875939A ,2013-01-16

[10]

一种基于碳纳米管的介电复合材料 [P].

张斗 ;

罗行 ;

周科朝 ;

吴忠 ;

马超 .

中国专利 :CN105153604A ,2015-12-16

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