碳膜生长工艺

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN98805277.6

申请日：

1998-05-20

公开(公告)号：

CN1260847A

公开(公告)日：

2000-07-19

发明(设计)人：

兹维·彦尼夫理查德·L·芬克芝丹·L·托尔特

申请人：

申请人地址：

美国得克萨斯

IPC主分类号：

C30B2304

IPC分类号：

C30B2504 C30B2904

代理机构：

中国国际贸易促进委员会专利商标事务所

代理人：

王永刚

法律状态：

实质审查请求的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2000-08-23	实质审查请求的生效	实质审查请求的生效
2004-10-06	发明专利申请公布后的视为撤回	发明专利申请公布后的视为撤回
2000-07-19	公开	公开

共 50 条

[1]

单晶铜生长工艺 [P].

沈承刚 ;

沈琨 ;

沈振宇 ;

毕少东 .

中国专利 :CN113802176A ,2021-12-17

[2]

外延生长工艺 [P].

李睿 ;

曹志伟 ;

张召 ;

余文达 ;

尹佳玲 ;

刘悦 ;

范永胜 ;

蔡靖凯 ;

吴成志 .

中国专利 :CN121148987A ,2025-12-16

[3]

金属的生长工艺 [P].

许爱春 ;

李远 ;

彭浩 ;

左明光 ;

詹侃 ;

唐浩 ;

万先进 ;

郁赛华 .

中国专利 :CN107978520A ,2018-05-01

[4]

石墨烯生长工艺 [P].

罗西塔·雅基莫娃 ;

蒂霍米尔·雅基莫夫 ;

米克尔·叙韦耶尔维 .

中国专利 :CN103097283B ,2013-05-08

[5]

PLC晶圆上包层厚膜生长工艺 [P].

高志豪 ;

胡炎彰 ;

耿金帅 ;

孙健 ;

杨建周 ;

苏晓华 .

中国专利 :CN116013764B ,2025-04-04

[6]

厚铝生长工艺方法 [P].

闵炼锋 .

中国专利 :CN102810504A ,2012-12-05

[7]

成型蓝宝石生长工艺 [P].

芮度保 .

中国专利 :CN1313413A ,2001-09-19

[8]

边缘限定硅膜生长工艺的晶体生长设备与方法 [P].

B·H·麦金托斯 ;

M·厄勒特 .

中国专利 :CN1494608A ,2004-05-05

[9]

低位错密度GaN的生长工艺 [P].

B·博蒙 ;

J－P·福里 ;

P·吉巴特 .

中国专利 :CN101336314A ,2008-12-31

[10]

一种GaAs单晶生长工艺 [P].

周雯婉 .

中国专利 :CN114808106A ,2022-07-29

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