一种场效应晶体管的建模方法

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申请号
CN202011115348.7
申请日
2020-10-19
公开(公告)号
CN114386347A
公开(公告)日
2022-04-22
发明(设计)人
黄安东
申请人
申请人地址
215000 江苏省苏州市工业园区星湖街328号创意产业园10-1F
IPC主分类号
G06F3033
IPC分类号
G06F3027
代理机构
南京利丰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 32256
代理人
赵世发
法律状态
公开
国省代码
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共 50 条
[1]
一种场效应晶体管的建模方法 [P]. 
黄安东 .
中国专利 :CN114386347B ,2025-07-01
[2]
场效应晶体管 [P]. 
天清宗山 ;
国井彻郎 .
中国专利 :CN101079442A ,2007-11-28
[3]
场效应晶体管 [P]. 
竹村保彦 .
中国专利 :CN105810742A ,2016-07-27
[4]
场效应晶体管 [P]. 
竹村保彦 .
中国专利 :CN102934232B ,2013-02-13
[5]
场效应晶体管的制备方法和场效应晶体管 [P]. 
赵圣哲 .
中国专利 :CN106158665A ,2016-11-23
[6]
场效应晶体管的制备方法和场效应晶体管 [P]. 
马万里 ;
赵圣哲 .
中国专利 :CN107104050A ,2017-08-29
[7]
场效应晶体管的制备方法和场效应晶体管 [P]. 
马万里 .
中国专利 :CN107104145A ,2017-08-29
[8]
场效应晶体管及场效应晶体管的制造方法 [P]. 
B·J·帕夫拉克 .
中国专利 :CN1934686B ,2007-03-21
[9]
场效应晶体管及场效应晶体管的制造方法 [P]. 
穆吉塔巴·朱达基 .
中国专利 :CN1905210A ,2007-01-31
[10]
场效应晶体管及形成场效应晶体管的方法 [P]. 
A·库马尔 .
中国专利 :CN101436612A ,2009-05-20