一种制备硅-碳负极材料的方法和装置

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202011222489.9

申请日：

2020-11-05

公开(公告)号：

CN112563498A

公开(公告)日：

2021-03-26

发明(设计)人：

杨涛严大洲温国胜刘诚孙强万烨司文学张升学

申请人：

申请人地址：

100038 北京市海淀区复兴路12号

IPC主分类号：

H01M462

IPC分类号：

H01M438 H01M100525

代理机构：

北京清亦华知识产权代理事务所(普通合伙) 11201

代理人：

宋合成

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2021-04-13	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01M 4/62 申请日:20201105
2021-03-26	公开	公开

共 50 条

[1]

一种硅碳负极材料的制备方法和硅碳负极材料 [P].

韩峰 ;

王好东 ;

杨璋军 ;

杨攀 .

中国专利 :CN120039887B ,2025-08-29

[2]

一种硅碳负极材料的制备方法和硅碳负极材料 [P].

韩峰 ;

王好东 ;

杨璋军 ;

杨攀 .

中国专利 :CN120039887A ,2025-05-27

[3]

一种硅碳负极材料的制备方法 [P].

杨占旭 ;

蒋大明 ;

王森林 .

中国专利 :CN109192937A ,2019-01-11

[4]

一种硅碳负极材料及其制备方法 [P].

姜福阳 ;

万文文 ;

王辉 ;

洪峰 .

中国专利 :CN118495504A ,2024-08-16

[5]

一种硅/碳负极材料中硅的测定方法 [P].

李涛 ;

屈杨 ;

梅东海 .

中国专利 :CN106370608A ,2017-02-01

[6]

连续制备硅碳负极材料的方法、硅碳负极材料和电池 [P].

吴胜水 ;

刘风羽 ;

吴泽俊 ;

马克旻 .

中国专利 :CN119050258A ,2024-11-29

[7]

一种宏量制备硅碳负极材料的方法和装置 [P].

郑灵浪 ;

王超 ;

黄云辉 .

中国专利 :CN118598137A ,2024-09-06

[8]

一种纳米硅碳负极前驱体的制备方法和纳米硅碳负极材料 [P].

刘昭 ;

杨敏 .

中国专利 :CN118439615A ,2024-08-06

[9]

一种纳米硅碳负极前驱体的制备方法和纳米硅碳负极材料 [P].

刘昭 ;

杨敏 .

中国专利 :CN118439615B ,2025-01-28

[10]

硅碳负极材料及硅碳负极材料的制备方法 [P].

李宁 ;

余德馨 ;

傅儒生 ;

仰韻霖 .

中国专利 :CN118983419A ,2024-11-19

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