本征层为微晶硅锗薄膜的硅基薄膜太阳电池及其制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200910244846.9

申请日：

2009-12-17

公开(公告)号：

CN101752435A

公开(公告)日：

2010-06-23

发明(设计)人：

张建军张丽平倪牮曹宇王先宝赵颖耿新华

申请人：

申请人地址：

300071 天津市南开区卫津路94号

IPC主分类号：

H01L31042

IPC分类号：

H01L310264 H01L3118 C23C16513 C23C16455

代理机构：

天津佳盟知识产权代理有限公司 12002

代理人：

侯力

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2010-08-18	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101004901944 IPC(主分类):H01L 31/042 专利申请号:2009102448469 申请日:20091217
2012-04-18	发明专利申请公布后的视为撤回	发明专利申请公布后的视为撤回号牌文件类型代码:1603 号牌文件序号:101330929763 IPC(主分类):H01L 31/042 专利申请号:2009102448469 公开日:20100623
2010-06-23	公开	公开

共 50 条

[1]

窗口层为p型微晶硅锗的硅锗薄膜太阳电池及其制备方法 [P].

张建军 ;

尚泽仁 ;

倪牮 ;

曹宇 ;

王先宝 ;

赵颖 ;

耿新华 .

中国专利 :CN101740648A ,2010-06-16

[2]

一种吸收层具有带隙梯度结构的微晶硅锗薄膜太阳电池 [P].

张建军 ;

曹宇 ;

李天微 ;

黄振华 ;

倪牮 ;

赵颖 ;

耿新华 .

中国专利 :CN102522447A ,2012-06-27

[3]

具有渐变锗组分本征层的非晶硅薄膜太阳电池及其制备方法 [P].

舒斌 ;

张鹤鸣 ;

魏璇 ;

陈景明 ;

宣荣喜 ;

胡辉勇 ;

宋建军 .

中国专利 :CN104393087A ,2015-03-04

[4]

氢化非晶硅薄膜太阳电池及其制备方法 [P].

班群 .

中国专利 :CN100527448C ,2007-08-15

[5]

一种硅基薄膜太阳电池及其制备方法 [P].

任慧志 ;

张晓丹 ;

赵颖 ;

侯国付 ;

许盛之 .

中国专利 :CN102916060A ,2013-02-06

[6]

一种微晶硅薄膜太阳电池 [P].

刘成 ;

周丽华 ;

杨君昆 .

中国专利 :CN103165722A ,2013-06-19

[7]

非晶硅锗薄膜太阳电池 [P].

杨君坤 ;

刘成 ;

徐正军 .

中国专利 :CN103077982A ,2013-05-01

[8]

硅基薄膜太阳电池用窗口材料及其制备方法 [P].

张晓丹 ;

赵颖 ;

魏长春 ;

孙建 ;

耿新华 ;

熊绍珍 .

中国专利 :CN101257052A ,2008-09-03

[9]

非晶硅薄膜太阳电池的制备方法及非晶硅薄膜太阳电池 [P].

刘石勇 ;

牛新伟 ;

李旺 ;

朱登华 ;

刘路 ;

王仕鹏 ;

黄海燕 ;

陆川 .

中国专利 :CN104465894A ,2015-03-25

[10]

提高单室沉积微晶硅基薄膜太阳电池效率的制备方法 [P].

张晓丹 ;

孙福和 ;

赵颖 ;

许盛之 ;

王光红 ;

魏长春 ;

孙建 ;

耿新华 ;

熊绍珍 .

中国专利 :CN101562215B ,2009-10-21

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