窗口层为p型微晶硅锗的硅锗薄膜太阳电池及其制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200910244847.3

申请日：

2009-12-17

公开(公告)号：

CN101740648A

公开(公告)日：

2010-06-16

发明(设计)人：

张建军尚泽仁倪牮曹宇王先宝赵颖耿新华

申请人：

申请人地址：

300071 天津市南开区卫津路94号

IPC主分类号：

H01L31042

IPC分类号：

H01L310216 H01L3118

代理机构：

天津佳盟知识产权代理有限公司 12002

代理人：

侯力

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2010-09-01	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101005260370 IPC(主分类):H01L 31/042 专利申请号:2009102448473 申请日:20091217
2011-12-21	发明专利申请公布后的视为撤回	发明专利申请公布后的视为撤回号牌文件类型代码:1603 号牌文件序号:101241712865 IPC(主分类):H01L 31/042 专利申请号:2009102448473 公开日:20100616
2010-06-16	公开	公开

共 50 条

[1]

本征层为微晶硅锗薄膜的硅基薄膜太阳电池及其制备方法 [P].

张建军 ;

张丽平 ;

倪牮 ;

曹宇 ;

王先宝 ;

赵颖 ;

耿新华 .

中国专利 :CN101752435A ,2010-06-23

[2]

硅薄膜太阳电池用P型窗口层及其制备方法 [P].

赵颖 ;

张晓丹 ;

耿新华 ;

魏长春 ;

薛俊明 ;

侯国付 ;

仁慧志 ;

张德坤 ;

孙建 ;

张建军 ;

熊绍珍 .

中国专利 :CN1277318C ,2005-11-16

[3]

一种吸收层具有带隙梯度结构的微晶硅锗薄膜太阳电池 [P].

张建军 ;

曹宇 ;

李天微 ;

黄振华 ;

倪牮 ;

赵颖 ;

耿新华 .

中国专利 :CN102522447A ,2012-06-27

[4]

非晶硅锗薄膜太阳电池 [P].

杨君坤 ;

刘成 ;

徐正军 .

中国专利 :CN103077982A ,2013-05-01

[5]

氢化非晶硅薄膜太阳电池及其制备方法 [P].

班群 .

中国专利 :CN100527448C ,2007-08-15

[6]

非晶硅锗薄膜太阳电池顶电池P型层的制备方法及用途 [P].

杨君坤 ;

刘成 ;

徐正军 ;

段波涛 ;

叶晓军 .

中国专利 :CN104393120B ,2015-03-04

[7]

一种非晶硅/微晶硅叠层太阳电池及其制备方法 [P].

任慧志 ;

赵颖 ;

张晓丹 ;

葛洪 ;

王宗畔 .

中国专利 :CN102208477A ,2011-10-05

[8]

具有渐变锗组分本征层的非晶硅薄膜太阳电池及其制备方法 [P].

舒斌 ;

张鹤鸣 ;

魏璇 ;

陈景明 ;

宣荣喜 ;

胡辉勇 ;

宋建军 .

中国专利 :CN104393087A ,2015-03-04

[9]

由微晶硅层为入射层的复合薄膜太阳电池及其制备方法 [P].

刘守彬 ;

田汉民 ;

杨瑞霞 ;

田学民 ;

王伟 ;

杨帆 ;

赵红东 ;

吕俊 ;

李毅杰 .

中国专利 :CN102103930B ,2011-06-22

[10]

一种微晶硅薄膜太阳电池 [P].

刘成 ;

周丽华 ;

杨君昆 .

中国专利 :CN103165722A ,2013-06-19

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