一种二维过渡金属硫族化合物及其制备方法和应用

被引:0
专利类型
发明
申请号
CN201911064303.9
申请日
2019-11-04
公开(公告)号
CN110697793A
公开(公告)日
2020-01-17
发明(设计)人
梁瑞政 朱钰 付立阳 卫敏
申请人
申请人地址
100029 北京市朝阳区北三环东路15号
IPC主分类号
C01G5100
IPC分类号
B82Y4000 A61K4922 A61K4906
代理机构
北京高沃律师事务所 11569
代理人
王术娜
法律状态
实质审查的生效
国省代码
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共 50 条
[1]
一种二维过渡金属硫族化合物及其制备和应用 [P]. 
胡志宇 ;
张帅 ;
吴振华 ;
罗思远 ;
刘泽昆 ;
刘妍 ;
施慧烈 ;
傅理夫 .
中国专利 :CN115537920A ,2022-12-30
[2]
一种二维过渡金属硫族化合物及其制备和应用 [P]. 
胡志宇 ;
张帅 ;
吴振华 ;
罗思远 ;
刘泽昆 ;
刘妍 ;
施慧烈 ;
傅理夫 .
中国专利 :CN115537920B ,2025-05-13
[3]
一种二维过渡金属硫族化合物的制备方法、二维过渡金属硫族化合物,以及装置 [P]. 
刘锴 ;
郭婧 ;
石润 .
中国专利 :CN118479540A ,2024-08-13
[4]
二维过渡金属硫族化合物及其制备方法和器件 [P]. 
刘碧录 ;
冯思敏 ;
成会明 ;
谭隽阳 .
中国专利 :CN111893456A ,2020-11-06
[5]
一种贵金属-二维过渡金属硫族化合物异质结构、制备方法及其应用 [P]. 
单艾娴 ;
王荣明 ;
张雨 ;
滕雪爱 .
中国专利 :CN114182290A ,2022-03-15
[6]
二维过渡金属硫族化合物材料的制备方法 [P]. 
孟岚 ;
徐超级 ;
颜晓红 .
中国专利 :CN110093591A ,2019-08-06
[7]
二维过渡金属硫族化合物的连续制备方法 [P]. 
时玉萌 .
中国专利 :CN112522680A ,2021-03-19
[8]
一种二维过渡金属硫族化合物薄膜及其制备方法 [P]. 
胡一说 ;
曾祥斌 ;
王文照 ;
吴少雄 ;
徐素娥 ;
曾洋 ;
李寒剑 .
中国专利 :CN107523811A ,2017-12-29
[9]
一种二维过渡金属硫族化合物的制备方法 [P]. 
马丽颖 ;
潘亚苹 ;
王习习 ;
赵乃勤 ;
师春生 ;
刘恩佐 ;
何芳 ;
沙军威 .
中国专利 :CN109336181A ,2019-02-15
[10]
一种二维过渡金属硫族化合物的制备方法 [P]. 
辛星 ;
陈佳美 ;
张艳梅 ;
刘为振 ;
徐海阳 .
中国专利 :CN113089088A ,2021-07-09