半导体晶片的评价方法

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申请号
CN202180037081.0
申请日
2021-03-03
公开(公告)号
CN115698686A
公开(公告)日
2023-02-03
发明(设计)人
黑纸基 森敬一朗
申请人
申请人地址
日本东京都港区芝浦一丁目2番1号
IPC主分类号
G01N21956
IPC分类号
H01L2166
代理机构
北京北新智诚知识产权代理有限公司 11100
代理人
刘秀青
法律状态
公开
国省代码
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共 50 条
[1]
半导体晶片的评价方法 [P]. 
黑纸基 ;
森敬一朗 .
日本专利 :CN115698686B ,2025-05-06
[2]
半导体晶片的评价方法和半导体晶片 [P]. 
森敬一朗 .
中国专利 :CN108027330A ,2018-05-11
[3]
半导体晶片的评价方法以及半导体晶片的制造方法 [P]. 
高桥亮辅 .
日本专利 :CN119522479A ,2025-02-25
[4]
半导体晶片的评价方法及半导体晶片的评价装置 [P]. 
相良和広 .
中国专利 :CN104272447B ,2015-01-07
[5]
半导体晶片的评价方法 [P]. 
大槻刚 ;
吉田和彦 .
中国专利 :CN101529592B ,2009-09-09
[6]
半导体基板、半导体晶片以及半导体晶片的制造方法 [P]. 
佐佐木公平 ;
林家弘 .
日本专利 :CN117795654A ,2024-03-29
[7]
半导体晶片的评价方法和制造方法以及半导体晶片的制造工序管理方法 [P]. 
长泽崇裕 ;
村上雅大 .
中国专利 :CN113227770A ,2021-08-06
[8]
半导体晶片的评价方法和制造方法以及半导体晶片的制造工序管理方法 [P]. 
长泽崇裕 ;
村上雅大 .
日本专利 :CN113227770B ,2024-12-27
[9]
半导体晶片的评价方法和半导体晶片的制造方法 [P]. 
村上贤史 ;
高梨启一 .
中国专利 :CN112020764A ,2020-12-01
[10]
半导体晶片的评价方法及半导体晶片的制造方法 [P]. 
西村雅史 ;
田中宏知 .
中国专利 :CN113227706B ,2021-08-06