清洁处理腔室的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202080017849.3

申请日：

2020-02-07

公开(公告)号：

CN113498442A

公开(公告)日：

2021-10-12

发明(设计)人：

B·S·权许璐 P·K·库尔施拉希萨 S·李 D·H·李 K·D·李

申请人：

申请人地址：

美国加利福尼亚州

IPC主分类号：

C23C1644

IPC分类号：

C23C16505 H01J3732

代理机构：

上海专利商标事务所有限公司 31100

代理人：

付尉琳;侯颖媖

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

引用

下载

收藏

法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2022-03-04	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):C23C 16/44 申请日:20200207
2021-10-12	公开	公开

共 50 条

[1]

处理腔室部件的清洁方法 [P].

B·S·权 ;

P·K·库尔施拉希萨 ;

K·D·李 ;

S·博贝克 .

中国专利 :CN112930580A ,2021-06-08

[2]

腔室清洁方法 [P].

白帆 ;

王炳元 ;

李凯 .

中国专利 :CN119008386A ,2024-11-22

[3]

等离子体处理腔室的清洁方法 [P].

周军 ;

李江 ;

孙海辉 .

中国专利 :CN104752258A ,2015-07-01

[4]

半导体处理腔室及清洁半导体处理腔室的方法 [P].

N·帕塔克 ;

张宇星 ;

T·A·恩古耶 ;

K·高希 ;

A·班塞尔 ;

J·C·罗查 .

中国专利 :CN114174554A ,2022-03-11

[5]

半导体处理腔室及清洁半导体处理腔室的方法 [P].

N·帕塔克 ;

张宇星 ;

T·A·恩古耶 ;

K·高希 ;

A·班塞尔 ;

J·C·罗查 .

美国专利 :CN114174554B ,2024-07-26

[6]

基板处理方法和腔室清洁方法 [P].

李元硕 ;

尹荣培 .

韩国专利 :CN116031130B ,2025-12-23

[7]

改进的工艺腔室清洁 [P].

沃尔夫冈·R·阿德霍尔德 ;

卡提克·拉曼·莎玛 ;

王一 .

美国专利 :CN120883345A ,2025-10-31

[8]

处理腔室 [P].

穆罕默德·图格鲁利·萨米尔 .

中国专利 :CN107109645B ,2017-08-29

[9]

半导体处理腔室和用于清洁所述半导体处理腔室的方法 [P].

V·K·潘迪 ;

V·普拉巴卡尔 ;

B·阿夫扎尔 ;

B·拉马穆尔蒂 ;

J·C·罗查 .

中国专利 :CN114207771A ,2022-03-18

[10]

工艺腔室的清洁方法 [P].

陈荣凡 ;

金立培 ;

朱朕 .

中国专利 :CN120933146A ,2025-11-11

← 1 2 3 4 5 →