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环戊二烯基型铪和锆前体和其在原子层沉积中的用途
被引:0
专利类型
:
发明
申请号
:
CN200680042907.8
申请日
:
2006-06-08
公开(公告)号
:
CN101310037A
公开(公告)日
:
2008-11-19
发明(设计)人
:
P·海斯
P·威廉姆斯
宋福全
申请人
:
申请人地址
:
美国密苏里州
IPC主分类号
:
C23C1618
IPC分类号
:
C23C16455
代理机构
:
中国国际贸易促进委员会专利商标事务所
代理人
:
任宗华
法律状态
:
公开
国省代码
:
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法律状态
法律状态公告日
法律状态
法律状态信息
2008-11-19
公开
公开
2009-01-14
实质审查的生效
实质审查的生效
2012-01-04
授权
授权
共 50 条
[1]
采用单环戊二烯基三烷氧基铪和锆前体通过原子层沉积制备薄膜的方法
[P].
P·N·黑斯
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P·N·黑斯
;
A·金斯里
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A·金斯里
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宋福全
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宋福全
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P·威廉姆斯
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P·威廉姆斯
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T·利斯
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T·利斯
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H·O·戴维斯
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H·O·戴维斯
;
R·奥德拉
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R·奥德拉
.
中国专利
:CN101815807A
,2010-08-25
[2]
采用单环戊二烯基三烷氧基铪和锆前体通过原子层沉积制备薄膜的方法
[P].
P·N·黑斯
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P·N·黑斯
;
A·金斯里
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A·金斯里
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宋福全
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宋福全
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P·威廉姆斯
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P·威廉姆斯
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T·利斯
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T·利斯
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H·O·戴维斯
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H·O·戴维斯
;
R·奥德拉
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R·奥德拉
.
中国专利
:CN103147062A
,2013-06-12
[3]
采用基于单环戊二烯基钛的前体通过原子层沉积制备含钛薄膜的方法
[P].
P·N·海斯
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P·N·海斯
;
A·金斯利
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A·金斯利
;
宋福全
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宋福全
;
P·威廉姆斯
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P·威廉姆斯
;
T·利斯
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T·利斯
;
H·O·戴维斯
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H·O·戴维斯
;
R·奥迪德拉
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R·奥迪德拉
.
中国专利
:CN101827956A
,2010-09-08
[4]
用于氧化锆和氧化铪薄膜沉积的前驱体
[P].
庄维佛
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庄维佛
;
D·R·埃文斯
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D·R·埃文斯
.
中国专利
:CN1239740C
,2003-05-07
[5]
钼(IV)酰胺前驱物和其在原子层沉积中的用途
[P].
彼得·尼古拉·海斯
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彼得·尼古拉·海斯
;
拉杰什·奥德德拉
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拉杰什·奥德德拉
;
萨拉赫·路易斯·欣德利
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萨拉赫·路易斯·欣德利
.
中国专利
:CN103097394B
,2013-05-08
[6]
用于钛酸盐、镧酸盐、及钽酸盐介电膜的原子层沉积和化学气相沉积的前体组合物
[P].
许从应
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许从应
;
陈天牛
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陈天牛
;
托马斯·M·卡梅伦
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托马斯·M·卡梅伦
;
杰弗里·F·罗德
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杰弗里·F·罗德
;
托马斯·H·鲍姆
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托马斯·H·鲍姆
.
中国专利
:CN101443891A
,2009-05-27
[7]
制备环戊二烯和甲基环戊二烯的装置
[P].
王玉洁
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王玉洁
;
孙玲
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孙玲
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杨阳
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杨阳
;
郭鑫
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郭鑫
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杨建
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杨建
;
杨波
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杨波
;
李海平
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李海平
.
中国专利
:CN203256175U
,2013-10-30
[8]
含铪和锆的前体及使用它的方法
[P].
C·杜萨拉
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C·杜萨拉
;
V·M·奥马尔吉
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V·M·奥马尔吉
;
V·R·帕里姆
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V·R·帕里姆
.
中国专利
:CN102712662A
,2012-10-03
[9]
锆前体、铪前体、钛前体及使用其沉积含第4族的膜
[P].
卢源泰
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卢源泰
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金大铉
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金大铉
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伽蒂诺谕子
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伽蒂诺谕子
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让-马克·吉拉尔
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让-马克·吉拉尔
.
中国专利
:CN110139945A
,2019-08-16
[10]
环戊二烯和/或双环戊二烯的制备方法和系统
[P].
L·L·亚西诺
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机构:
埃克森美孚化学专利公司
埃克森美孚化学专利公司
L·L·亚西诺
;
K·C·P·梁
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机构:
埃克森美孚化学专利公司
埃克森美孚化学专利公司
K·C·P·梁
.
美国专利
:CN119075857A
,2024-12-06
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