锆前体、铪前体、钛前体及使用其沉积含第4族的膜

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201780081938.2

申请日：

2017-12-14

公开(公告)号：

CN110139945A

公开(公告)日：

2019-08-16

发明(设计)人：

卢源泰金大铉伽蒂诺谕子让-马克·吉拉尔

申请人：

申请人地址：

法国巴黎

IPC主分类号：

C23C1618

IPC分类号：

C04B35622 C07F722 C23C16455 C23C1650

代理机构：

北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205

代理人：

马爽;臧建明

法律状态：

公开

国省代码：

引用

下载

收藏

法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2019-08-16	公开	公开
2022-01-28	发明专利申请公布后的视为撤回	发明专利申请公布后的视为撤回 IPC(主分类):C23C 16/18 申请公布日:20190816
2020-01-14	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):C23C 16/18 申请日:20171214

共 50 条

[1]

锆前体、铪前体、钛前体及使用其沉积含第4族的膜 [P].

金大铉 ;

伽蒂诺谕子 ;

卢源泰 ;

尤利安·伽蒂诺 ;

让-马克·吉拉尔 .

中国专利 :CN110073474A ,2019-07-30

[2]

锆前体、铪前体、钛前体及使用其沉积含第4族的膜 [P].

尤利安·伽蒂诺 ;

金大铉 ;

卢源泰 ;

伽蒂诺谕子 ;

让-马克·吉拉尔 .

中国专利 :CN110121571B ,2019-08-13

[3]

锆前体、铪前体、钛前体及使用其沉积含第4族的膜 [P].

伽蒂诺谕子 ;

卢文泰 ;

金大贤 ;

尤利安·伽蒂诺 ;

让-马克·吉拉尔 .

中国专利 :CN110088357A ,2019-08-02

[4]

用于沉积含第4族金属的薄膜的液体前体 [P].

X·雷 ;

J·A·T·诺曼 ;

D·P·斯潘斯 .

中国专利 :CN102086513B ,2011-06-08

[5]

镧系元素前体以及使用其沉积含镧系元素的膜 [P].

伽蒂诺谕子 ;

金大铉 ;

卢源泰 ;

让-马克·吉拉尔 .

中国专利 :CN110062817A ,2019-07-26

[6]

使用8族(Ⅷ)金属茂前体的沉积方法 [P].

D·M·汤普森 ;

C·A·霍弗 ;

J·D·佩克 ;

M·M·利特温 .

中国专利 :CN1732286A ,2006-02-08

[7]

用于薄膜沉积的新V族和VI族过渡金属前体 [P].

李国璨 ;

S·V·伊瓦诺维 ;

雷新建 ;

李宏波 .

中国专利 :CN114269762A ,2022-04-01

[8]

含镧系元素前体的制备和含镧系元素膜的沉积 [P].

金大玹 ;

宋浚贤 ;

卢沅泰 ;

文卡特斯瓦拉·R·帕伦姆 .

法国专利 :CN118679138A ,2024-09-20

[9]

环戊二烯基型铪和锆前体和其在原子层沉积中的用途 [P].

P·海斯 ;

P·威廉姆斯 ;

宋福全 .

中国专利 :CN101310037A ,2008-11-19

[10]

制备颗粒前体的方法及其制备的颗粒前体 [P].

布莱恩·托马斯·米本 ;

张晓 .

中国专利 :CN112136231A ,2020-12-25

← 1 2 3 4 5 →