用于沉积含第4族金属的薄膜的液体前体

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201010584292.X

申请日：

2010-12-07

公开(公告)号：

CN102086513B

公开(公告)日：

2011-06-08

发明(设计)人：

X·雷 J·A·T·诺曼 D·P·斯潘斯

申请人：

申请人地址：

美国宾夕法尼亚州

IPC主分类号：

C23C1618

IPC分类号：

C07F728 C07F700

代理机构：

北京市金杜律师事务所 11256

代理人：

吴亦华;徐志明

法律状态：

专利申请权、专利权的转移

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2017-06-16	专利申请权、专利权的转移	专利权的转移号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101753770904 IPC(主分类):C23C 16/18 专利号:ZL201010584292X 登记生效日:20170527 变更事项:专利权人变更前权利人:气体产品与化学公司变更后权利人:弗萨姆材料美国有限责任公司变更事项:地址变更前权利人:美国宾夕法尼亚州变更后权利人:美国亚利桑那州
2011-06-08	公开	公开
2011-07-20	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101089511168 IPC(主分类):C23C 16/18 专利申请号:201010584292X 申请日:20101207
2014-07-30	授权	授权

共 50 条

[1]

用于含金属膜的第4族金属前体 [P].

S·V·埃瓦诺夫 ;

X·雷 ;

H·程 ;

D·P·斯佩斯 ;

金武性 .

中国专利 :CN102040620B ,2011-05-04

[2]

用于薄膜沉积的新V族和VI族过渡金属前体 [P].

李国璨 ;

S·V·伊瓦诺维 ;

雷新建 ;

李宏波 .

中国专利 :CN114269762A ,2022-04-01

[3]

锆前体、铪前体、钛前体及使用其沉积含第4族的膜 [P].

卢源泰 ;

金大铉 ;

伽蒂诺谕子 ;

让-马克·吉拉尔 .

中国专利 :CN110139945A ,2019-08-16

[4]

用于薄膜沉积的第5族金属前体化合物及使用其形成含有第5族金属的薄膜的方法 [P].

崔雄辰 ;

李太荣 ;

金信范 ;

池成俊 ;

白善英 ;

郑主焕 ;

曺圭镐 .

韩国专利 :CN120813725A ,2025-10-17

[5]

含镧族金属薄膜形成用前体、利用所述前体的含镧族金属薄膜形成方法以及包含所述含镧族金属薄膜的半导体组件 [P].

吴澣率 ;

金韩彬 ;

朴容主 ;

柳范锡 ;

李相京 .

韩国专利 :CN119403955A ,2025-02-07

[6]

用于沉积含金属薄膜的含氨基醚的液体组合物 [P].

S·V·伊瓦诺维 ;

X·雷 ;

D·P·斯潘斯 ;

J·A·T·诺曼 ;

L·M·马兹 .

中国专利 :CN102011098A ,2011-04-13

[7]

用于沉积含金属薄膜的金属-烯醇化物前体 [P].

J·A·T·诺曼 ;

雷新建 .

中国专利 :CN102558221B ,2012-07-11

[8]

一种第Ⅴ族金属前驱体及其在薄膜沉积中的应用 [P].

李丽君 ;

张学奇 ;

扈静 ;

朱思坤 ;

李建恒 .

中国专利 :CN119708083A ,2025-03-28

[9]

用于薄膜沉积的第5族金属化合物和使用该化合物形成含第5族金属的薄膜的方法 [P].

李太荣 ;

池成俊 ;

白善英 .

韩国专利 :CN113943321B ,2024-01-30

[10]

用于薄膜沉积的第5族金属化合物和使用该化合物形成含第5族金属的薄膜的方法 [P].

李太荣 ;

池成俊 ;

白善英 .

中国专利 :CN113943321A ,2022-01-18

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