用于薄膜沉积的新V族和VI族过渡金属前体

被引：0

申请号：

CN202080052680.5

申请日：

2020-05-28

公开(公告)号：

CN114269762A

公开(公告)日：

2022-04-01

发明(设计)人：

李国璨 S·V·伊瓦诺维雷新建李宏波

申请人：

申请人地址：

美国亚利桑那州

IPC主分类号：

C07F900

IPC分类号：

C07F1100 C07F1700 C23C1618 C23C1624 C23C1634 C23C1640 C23C16455

代理机构：

北京市金杜律师事务所 11256

代理人：

吴亦华;徐志明

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2022-04-01	公开	公开
2022-04-19	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):C07F 9/00 申请日:20200528

共 50 条

[1]

用于2族金属氧化物膜的沉积的2族金属前体 [P].

雷新建 ;

D·P·斯彭斯 ;

J·A·T·诺曼 ;

M·厄尔曼 .

中国专利 :CN101735082A ,2010-06-16

[2]

用于沉积含第4族金属的薄膜的液体前体 [P].

X·雷 ;

J·A·T·诺曼 ;

D·P·斯潘斯 .

中国专利 :CN102086513B ,2011-06-08

[3]

使用8族(Ⅷ)金属茂前体的沉积方法 [P].

D·M·汤普森 ;

C·A·霍弗 ;

J·D·佩克 ;

M·M·利特温 .

中国专利 :CN1732286A ,2006-02-08

[4]

含镧族金属薄膜形成用前体、利用所述前体的含镧族金属薄膜形成方法以及包含所述含镧族金属薄膜的半导体组件 [P].

吴澣率 ;

金韩彬 ;

朴容主 ;

柳范锡 ;

李相京 .

韩国专利 :CN119403955A ,2025-02-07

[5]

用于沉积多组分金属氧化物薄膜的第2族金属前体 [P].

雷新建 ;

L·J·奎因 ;

D·P·斯彭斯 .

中国专利 :CN101328188A ,2008-12-24

[6]

制备铂族金属和前过渡金属的合金的方法 [P].

A·孔卡南 .

中国专利 :CN105220127A ,2016-01-06

[7]

用于薄膜沉积的第5族金属前体化合物及使用其形成含有第5族金属的薄膜的方法 [P].

崔雄辰 ;

李太荣 ;

金信范 ;

池成俊 ;

白善英 ;

郑主焕 ;

曺圭镐 .

韩国专利 :CN120813725A ,2025-10-17

[8]

含有V族金属的前体及其对含有金属的膜的沉积的应用 [P].

N·布拉斯科 ;

S·达尼埃尔 ;

N·梅尔 ;

C·迪萨拉 .

中国专利 :CN101528759B ,2009-09-09

[9]

沉积IIIA族金属的薄膜的方法 [P].

D·V·谢奈哈特哈特 ;

E·沃尔科 .

中国专利 :CN100509821C ,2006-05-10

[10]

用于制备锂复合过渡金属氧化物的新前体 [P].

申昊锡 ;

张诚均 ;

朴洪奎 ;

洪承泰 ;

朴信英 ;

崔英善 .

中国专利 :CN101998932B ,2011-03-30

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