用于沉积多组分金属氧化物薄膜的第2族金属前体

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200810127703.5

申请日：

2008-05-16

公开(公告)号：

CN101328188A

公开(公告)日：

2008-12-24

发明(设计)人：

雷新建 L·J·奎因 D·P·斯彭斯

申请人：

申请人地址：

美国宾夕法尼亚州

IPC主分类号：

C07F300

IPC分类号：

C23C1640

代理机构：

中国专利代理(香港)有限公司

代理人：

张轶东;韦欣华

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

引用

下载

收藏

法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2009-02-18	实质审查的生效	实质审查的生效
2011-07-27	发明专利申请公布后的视为撤回	发明专利申请公布后的视为撤回号牌文件类型代码:1603 号牌文件序号:101117496960 IPC(主分类):C07F 3/00 专利申请号:2008101277035 公开日:20081224
2008-12-24	公开	公开

共 50 条

[1]

用于2族金属氧化物膜的沉积的2族金属前体 [P].

雷新建 ;

D·P·斯彭斯 ;

J·A·T·诺曼 ;

M·厄尔曼 .

中国专利 :CN101735082A ,2010-06-16

[2]

金属氧化物薄膜，沉积金属氧化物薄膜的方法及包含金属氧化物薄膜的装置 [P].

一杉太郎 .

中国专利 :CN107074662B ,2017-08-18

[3]

多组元金属氧化物薄膜的制备方法 [P].

肖定全 ;

肖志力 ;

朱居木 ;

郭华聪 ;

谢必正 .

中国专利 :CN1046356A ,1990-10-24

[4]

利用MOCVD沉积金属氧化物薄膜的方法 [P].

庄维佛 ;

许胜藤 ;

潘威 .

中国专利 :CN1510162A ,2004-07-07

[5]

金属氧化物、金属氧化物的沉积方法及金属氧化物的沉积装置 [P].

山崎舜平 ;

神保安弘 ;

惠木勇司 ;

挂端哲弥 .

中国专利 :CN115152006A ,2022-10-04

[6]

用于金属氧化物层或膜沉积的前体 [P].

A·C·琼斯 .

中国专利 :CN100526318C ,2006-04-19

[7]

金属氧化物薄膜的沉积方法及其制备装置 [P].

徐祥准 ;

刘址范 ;

郑昊均 ;

赵成珉 .

中国专利 :CN105821395B ,2016-08-03

[8]

金属氧化物薄膜用靶子材料及其制法、以及金属氧化物薄膜的制法 [P].

斋藤秀俊 ;

大盐茂夫 ;

佐藤良 ;

南部信义 ;

中村淳 ;

古川正法 .

中国专利 :CN100384716C ,2001-06-06

[9]

一种金属氧化物薄膜的制备方法及金属氧化物薄膜 [P].

杨振怀 ;

郭远军 ;

卫红 ;

胡琅 ;

胡强 ;

肖永能 ;

刘宏 ;

郭可升 .

中国专利 :CN114561617A ,2022-05-31

[10]

金属或金属氧化物纳米颗粒的薄膜制备方法 [P].

李效民 ;

吴永庆 ;

于伟东 ;

徐军 ;

夏长泰 .

中国专利 :CN101429644B ,2009-05-13

← 1 2 3 4 5 →