用于2族金属氧化物膜的沉积的2族金属前体

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200910212005.X

申请日：

2009-11-06

公开(公告)号：

CN101735082A

公开(公告)日：

2010-06-16

发明(设计)人：

雷新建 D·P·斯彭斯 J·A·T·诺曼 M·厄尔曼

申请人：

申请人地址：

美国宾夕法尼亚州

IPC主分类号：

C07C22514

IPC分类号：

C07C22100 C07D30714 C23C1640

代理机构：

中国专利代理(香港)有限公司 72001

代理人：

段晓玲;孙秀武

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2010-09-01	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101005251416 IPC(主分类):C07C 225/14 专利申请号:200910212005X 申请日:20091106
2010-06-16	公开	公开
2014-07-16	发明专利申请公布后的视为撤回	发明专利申请公布后的视为撤回号牌文件类型代码:1603 号牌文件序号:101703030883 IPC(主分类):C07D 307/14 专利申请号:200910212005X 申请公布日:20100616

共 50 条

[1]

用于沉积多组分金属氧化物薄膜的第2族金属前体 [P].

雷新建 ;

L·J·奎因 ;

D·P·斯彭斯 .

中国专利 :CN101328188A ,2008-12-24

[2]

用于薄膜沉积的新V族和VI族过渡金属前体 [P].

李国璨 ;

S·V·伊瓦诺维 ;

雷新建 ;

李宏波 .

中国专利 :CN114269762A ,2022-04-01

[3]

用于沉积金属氧化物膜的方法 [P].

卡洛·塔利亚尼 ;

彼得·诺扎尔 .

中国专利 :CN101970709A ,2011-02-09

[4]

制膜用材料、IV族金属氧化物膜的制造方法 [P].

木下智之 ;

岩永宏平 ;

浅野祥生 ;

川畑贵裕 ;

大岛宪昭 ;

平井聪里 ;

原田美德 ;

新井一喜 ;

多田贤一 .

中国专利 :CN105001254A ,2015-10-28

[5]

用于金属氧化物层或膜沉积的前体 [P].

A·C·琼斯 .

中国专利 :CN100526318C ,2006-04-19

[6]

使用金属卤化物前体的金属氧化物原子层沉积 [P].

李英熙 ;

米歇尔·玛格丽塔·弗洛里斯埃斯皮诺萨 ;

萨曼莎·西亚姆华·坦 .

美国专利 :CN120826495A ,2025-10-21

[7]

金属氧化物膜、金属氧化物层叠体及金属氧化物层叠体的制造方法 [P].

饭塚宗明 ;

藤村俊伸 ;

中里克己 ;

佐藤享平 ;

平田纯也 .

日本专利 :CN120051436A ,2025-05-27

[8]

含有V族金属的前体及其对含有金属的膜的沉积的应用 [P].

N·布拉斯科 ;

S·达尼埃尔 ;

N·梅尔 ;

C·迪萨拉 .

中国专利 :CN101528759B ,2009-09-09

[9]

金属氧化物膜的制造方法及金属氧化物膜、使用该金属氧化物膜的元件、带有金属氧化物膜的基板以及使用该基板的器件 [P].

行延雅也 ;

村山勇树 ;

永野崇仁 ;

大塚良广 .

中国专利 :CN102933496A ,2013-02-13

[10]

金属氧化物、金属氧化物的沉积方法及金属氧化物的沉积装置 [P].

山崎舜平 ;

神保安弘 ;

惠木勇司 ;

挂端哲弥 .

中国专利 :CN115152006A ,2022-10-04

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