使用金属卤化物前体的金属氧化物原子层沉积

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202480017188.2

申请日：

2024-01-25

公开(公告)号：

CN120826495A

公开(公告)日：

2025-10-21

发明(设计)人：

李英熙米歇尔·玛格丽塔·弗洛里斯埃斯皮诺萨萨曼莎·西亚姆华·坦

申请人：

朗姆研究公司

申请人地址：

美国加利福尼亚州

IPC主分类号：

C23C16/455

IPC分类号：

C23C16/08 C23C16/04 C23C16/02

代理机构：

上海胜康律师事务所 31263

代理人：

樊英如;张华

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-11-07	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):C23C 16/455申请日:20240125
2025-10-21	公开	公开

共 50 条

[1]

高k金属氧化物的原子层沉积 [P].

李尚因 ;

先崎义秀 ;

李尚校 .

中国专利 :CN100468648C ,2006-10-18

[2]

使用氟及金属卤化物来蚀刻金属氧化物 [P].

K·N·伍兹 ;

Z·崔 ;

M·萨利 .

中国专利 :CN114008750A ,2022-02-01

[3]

使用氟及金属卤化物来蚀刻金属氧化物 [P].

K·N·伍兹 ;

Z·崔 ;

M·萨利 .

美国专利 :CN114008750B ,2025-10-28

[4]

混合金属氧化物阻挡膜和用于制备混合金属氧化物阻挡膜的原子层沉积方法 [P].

E.R.迪基 .

中国专利 :CN103827350A ,2014-05-28

[5]

使用基于卤化物的前体沉积无金属ALD氮化硅膜的方法 [P].

詹姆斯·S·思姆斯 ;

乔恩·亨利 ;

拉梅什·钱德拉塞卡拉 ;

安德鲁·约翰·麦克罗 ;

萨沙撒耶·瓦拉达拉简 ;

凯瑟琳·梅赛德·凯尔克纳 .

中国专利 :CN109891550A ,2019-06-14

[6]

使用碱由金属卤化物通过脱卤化氢制备金属氧化物的方法及由其制备的金属氧化物 [P].

金钟勋 .

中国专利 :CN101784474A ,2010-07-21

[7]

使用硅氢卤化物前体的SiN的等离子体增强原子层沉积(PEALD) [P].

S·上田 ;

T·戎谷 ;

T·铃木 .

中国专利 :CN110408906A ,2019-11-05

[8]

金属氧化物原子层刻蚀 [P].

安德烈亚斯·费希尔 ;

尼莉莎·德雷格 .

美国专利 :CN111149194B ,2024-08-06

[9]

金属氧化物原子层刻蚀 [P].

安德烈亚斯·费希尔 ;

尼莉莎·德雷格 .

中国专利 :CN111149194A ,2020-05-12

[10]

通过原子层沉积来沉积的抗侵蚀金属氧化物涂层 [P].

邬笑炜 ;

J·Y·孙 ;

M·R·赖斯 .

中国专利 :CN110735129A ,2020-01-31

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