通过原子层沉积来沉积的抗侵蚀金属氧化物涂层

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专利类型
发明
申请号
CN201910663555.7
申请日
2019-07-18
公开(公告)号
CN110735129A
公开(公告)日
2020-01-31
发明(设计)人
邬笑炜 J·Y·孙 M·R·赖斯
申请人
申请人地址
美国加利福尼亚州
IPC主分类号
C23C1640
IPC分类号
C23C16455
代理机构
上海专利商标事务所有限公司 31100
代理人
侯颖媖;张鑫
法律状态
公开
国省代码
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共 50 条
[1]
通过原子层沉积来沉积的抗侵蚀金属氟化物涂层 [P]. 
邬笑炜 ;
J·Y·孙 ;
M·R·赖斯 .
中国专利 :CN110735128A ,2020-01-31
[2]
通过原子层沉积而沉积的铪铝氧化物涂层 [P]. 
大卫·芬威克 ;
詹妮弗·Y·孙 ;
周政玄 ;
贺小明 .
中国专利 :CN114586131A ,2022-06-03
[3]
高k金属氧化物的原子层沉积 [P]. 
李尚因 ;
先崎义秀 ;
李尚校 .
中国专利 :CN100468648C ,2006-10-18
[4]
使用金属卤化物前体的金属氧化物原子层沉积 [P]. 
李英熙 ;
米歇尔·玛格丽塔·弗洛里斯埃斯皮诺萨 ;
萨曼莎·西亚姆华·坦 .
美国专利 :CN120826495A ,2025-10-21
[5]
沉积金属氧化物材料的方法 [P]. 
J·毛拉 ;
K·哈克内 .
中国专利 :CN101688300B ,2010-03-31
[6]
氧化物和氮化物的原子层沉积 [P]. 
H·朱西拉 ;
朱驰宇 ;
谢琦 ;
金智妍 ;
T·E·布隆伯格 .
中国专利 :CN111560598A ,2020-08-21
[7]
金属氧化物、金属氧化物的沉积方法及金属氧化物的沉积装置 [P]. 
山崎舜平 ;
神保安弘 ;
惠木勇司 ;
挂端哲弥 .
中国专利 :CN115152006A ,2022-10-04
[8]
原子层氧化物薄膜沉积设备 [P]. 
范荣伟 ;
陈宏璘 ;
龙吟 ;
袁增艺 .
中国专利 :CN105895513A ,2016-08-24
[9]
用于薄膜晶体管的通过原子层沉积进行的金属氧化物层组成控制 [P]. 
约翰·贤哲·洪 ;
梁洪松 ;
金天弘 ;
冯子青 .
中国专利 :CN104956491A ,2015-09-30
[10]
P型氧化物半导体薄膜的原子层沉积 [P]. 
野村健二 ;
约翰·贤哲·洪 .
中国专利 :CN107112198A ,2017-08-29