沉积金属氧化物材料的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200880022712.6

申请日：

2008-07-02

公开(公告)号：

CN101688300B

公开(公告)日：

2010-03-31

发明(设计)人：

J·毛拉 K·哈克内

申请人：

申请人地址：

芬兰万塔

IPC主分类号：

C23C1640

IPC分类号：

C23C16455 H01L21314

代理机构：

中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038

代理人：

柳冀

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2010-03-31	公开	公开
2010-06-30	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101003379750 IPC(主分类):C23C 16/40 专利申请号:2008800227126 申请日:20080702
2012-07-25	授权	授权

共 50 条

[1]

金属氧化物、金属氧化物的沉积方法及金属氧化物的沉积装置 [P].

山崎舜平 ;

神保安弘 ;

惠木勇司 ;

挂端哲弥 .

中国专利 :CN115152006A ,2022-10-04

[2]

金属氧化物材料的制备方法、金属氧化物材料与光电器件 [P].

谢傲臻 ;

庄佳庆 ;

刘海坤 .

中国专利 :CN121085312A ,2025-12-09

[3]

金属氧化物的沉积方法 [P].

山崎舜平 ;

挂端哲弥 ;

川上祥子 ;

井坂史人 ;

惠木勇司 .

日本专利 :CN117403206A ,2024-01-16

[4]

通过微波沉积制备金属氧化物涂布的有机材料的方法 [P].

R·熊 ;

S·D·帕斯托尔 ;

P·比亚尔 .

中国专利 :CN1809654A ,2006-07-26

[5]

掺锑的金属氧化物的化学气相沉积 [P].

M·P·小雷明顿 .

中国专利 :CN1263696C ,2004-09-22

[6]

通过原子层沉积来沉积的抗侵蚀金属氧化物涂层 [P].

邬笑炜 ;

J·Y·孙 ;

M·R·赖斯 .

中国专利 :CN110735129A ,2020-01-31

[7]

使用金属卤化物前体的金属氧化物原子层沉积 [P].

李英熙 ;

米歇尔·玛格丽塔·弗洛里斯埃斯皮诺萨 ;

萨曼莎·西亚姆华·坦 .

美国专利 :CN120826495A ,2025-10-21

[8]

一种金属氧化物材料刻蚀方法 [P].

郭春祥 ;

彭泰彦 ;

任华 ;

许开东 .

中国专利 :CN118866677A ,2024-10-29

[9]

生产金属氧化物和有机金属氧化物组合物的方法 [P].

肯尼思·C·凯勒特 ;

道格拉斯·M·史密斯 ;

威廉·C·阿克曼 ;

史蒂芬·华莱士 ;

戴维·J·考尔 .

中国专利 :CN1204048C ,2000-06-28

[10]

多金属氧化物材料 [P].

F·博格迈尔 ;

M·迪特勒 ;

H·希布什特 .

中国专利 :CN1313440C ,2005-12-07

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