金属氧化物、金属氧化物的沉积方法及金属氧化物的沉积装置

被引：0

申请号：

CN202180016355.8

申请日：

2021-02-17

公开(公告)号：

CN115152006A

公开(公告)日：

2022-10-04

发明(设计)人：

山崎舜平神保安弘惠木勇司挂端哲弥

申请人：

申请人地址：

日本神奈川县

IPC主分类号：

H01L21365

IPC分类号：

H01L218242 H01L27108 H01L271156 H01L21336 H01L29788 H01L29792 H01L29786

代理机构：

上海专利商标事务所有限公司 31100

代理人：

宋俊寅

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2022-10-04	公开	公开

共 50 条

[1]

金属氧化物的沉积方法 [P].

山崎舜平 ;

挂端哲弥 ;

川上祥子 ;

井坂史人 ;

惠木勇司 .

日本专利 :CN117403206A ,2024-01-16

[2]

金属氧化物薄膜，沉积金属氧化物薄膜的方法及包含金属氧化物薄膜的装置 [P].

一杉太郎 .

中国专利 :CN107074662B ,2017-08-18

[3]

沉积金属氧化物材料的方法 [P].

J·毛拉 ;

K·哈克内 .

中国专利 :CN101688300B ,2010-03-31

[4]

用于沉积金属氧化物膜的方法 [P].

卡洛·塔利亚尼 ;

彼得·诺扎尔 .

中国专利 :CN101970709A ,2011-02-09

[5]

旋涂沉积金属氧化物的方法 [P].

尼哈尔·莫汉蒂 ;

利奥尔·胡利 ;

杰弗里·史密斯 ;

理查德·法雷尔 .

中国专利 :CN108701587A ,2018-10-23

[6]

金属氧化物膜、金属氧化物层叠体及金属氧化物层叠体的制造方法 [P].

饭塚宗明 ;

藤村俊伸 ;

中里克己 ;

佐藤享平 ;

平田纯也 .

日本专利 :CN120051436A ,2025-05-27

[7]

金属氧化物的选择性沉积 [P].

V·马德希瓦拉 ;

V·万达伦 ;

N·V·斯里纳思 ;

E·托伊斯 ;

邓少任 ;

D·基亚佩 ;

M·图米恩 ;

C·德泽拉 ;

韩镕圭 ;

K·K·威蒂尤拉 ;

G·威尔克 ;

D·赞德斯 ;

A·M·卡罗 .

:CN118522635A ,2024-08-20

[8]

金属氧化物的制造装置和金属氧化物的制造方法 [P].

村田秀之 ;

矢木直人 ;

饭田正纪 ;

今村彰志 ;

袁建军 .

日本专利 :CN118176161A ,2024-06-11

[9]

生产金属氧化物和有机金属氧化物组合物的方法 [P].

肯尼思·C·凯勒特 ;

道格拉斯·M·史密斯 ;

威廉·C·阿克曼 ;

史蒂芬·华莱士 ;

戴维·J·考尔 .

中国专利 :CN1204048C ,2000-06-28

[10]

金属氧化物的制造装置及前述金属氧化物的制造方法 [P].

龟井清雄 ;

袁建军 ;

关根均 ;

木下宏司 .

中国专利 :CN109415207A ,2019-03-01

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