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旋涂沉积金属氧化物的方法
被引:0
专利类型
:
发明
申请号
:
CN201780013847.5
申请日
:
2017-01-26
公开(公告)号
:
CN108701587A
公开(公告)日
:
2018-10-23
发明(设计)人
:
尼哈尔·莫汉蒂
利奥尔·胡利
杰弗里·史密斯
理查德·法雷尔
申请人
:
申请人地址
:
日本东京都
IPC主分类号
:
H01L21027
IPC分类号
:
G03F716
H01L2128
代理机构
:
北京集佳知识产权代理有限公司 11227
代理人
:
蔡胜有;苏虹
法律状态
:
实质审查的生效
国省代码
:
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法律状态
法律状态公告日
法律状态
法律状态信息
2019-01-29
实质审查的生效
实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 21/027 申请日:20170126
2018-10-23
公开
公开
共 50 条
[1]
金属氧化物、金属氧化物的沉积方法及金属氧化物的沉积装置
[P].
山崎舜平
论文数:
0
引用数:
0
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山崎舜平
;
神保安弘
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神保安弘
;
惠木勇司
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惠木勇司
;
挂端哲弥
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挂端哲弥
.
中国专利
:CN115152006A
,2022-10-04
[2]
金属氧化物的沉积方法
[P].
山崎舜平
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机构:
株式会社半导体能源研究所
株式会社半导体能源研究所
山崎舜平
;
挂端哲弥
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机构:
株式会社半导体能源研究所
株式会社半导体能源研究所
挂端哲弥
;
川上祥子
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机构:
株式会社半导体能源研究所
株式会社半导体能源研究所
川上祥子
;
井坂史人
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机构:
株式会社半导体能源研究所
株式会社半导体能源研究所
井坂史人
;
惠木勇司
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机构:
株式会社半导体能源研究所
株式会社半导体能源研究所
惠木勇司
.
日本专利
:CN117403206A
,2024-01-16
[3]
沉积金属氧化物材料的方法
[P].
J·毛拉
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J·毛拉
;
K·哈克内
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K·哈克内
.
中国专利
:CN101688300B
,2010-03-31
[4]
金属氧化物薄膜,沉积金属氧化物薄膜的方法及包含金属氧化物薄膜的装置
[P].
一杉太郎
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一杉太郎
.
中国专利
:CN107074662B
,2017-08-18
[5]
用于沉积金属氧化物膜的方法
[P].
卡洛·塔利亚尼
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卡洛·塔利亚尼
;
彼得·诺扎尔
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彼得·诺扎尔
.
中国专利
:CN101970709A
,2011-02-09
[6]
金属氧化物涂覆的锂混合氧化物颗粒
[P].
R·奥斯顿
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R·奥斯顿
;
U·海德
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U·海德
;
A·库纳
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A·库纳
;
N·罗兹
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N·罗兹
;
A·阿曼
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A·阿曼
;
M·尼曼
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M·尼曼
.
中国专利
:CN1350706A
,2002-05-22
[7]
利用MOCVD沉积金属氧化物薄膜的方法
[P].
庄维佛
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0
庄维佛
;
许胜藤
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0
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许胜藤
;
潘威
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潘威
.
中国专利
:CN1510162A
,2004-07-07
[8]
金属氧化物的选择性沉积
[P].
V·马德希瓦拉
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机构:
ASMIP私人控股有限公司
ASMIP私人控股有限公司
V·马德希瓦拉
;
V·万达伦
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机构:
ASMIP私人控股有限公司
ASMIP私人控股有限公司
V·万达伦
;
N·V·斯里纳思
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机构:
ASMIP私人控股有限公司
ASMIP私人控股有限公司
N·V·斯里纳思
;
E·托伊斯
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机构:
ASMIP私人控股有限公司
ASMIP私人控股有限公司
E·托伊斯
;
邓少任
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ASMIP私人控股有限公司
ASMIP私人控股有限公司
邓少任
;
D·基亚佩
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机构:
ASMIP私人控股有限公司
ASMIP私人控股有限公司
D·基亚佩
;
M·图米恩
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机构:
ASMIP私人控股有限公司
ASMIP私人控股有限公司
M·图米恩
;
C·德泽拉
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ASMIP私人控股有限公司
ASMIP私人控股有限公司
C·德泽拉
;
韩镕圭
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机构:
ASMIP私人控股有限公司
ASMIP私人控股有限公司
韩镕圭
;
K·K·威蒂尤拉
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机构:
ASMIP私人控股有限公司
ASMIP私人控股有限公司
K·K·威蒂尤拉
;
G·威尔克
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ASMIP私人控股有限公司
ASMIP私人控股有限公司
G·威尔克
;
D·赞德斯
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机构:
ASMIP私人控股有限公司
ASMIP私人控股有限公司
D·赞德斯
;
A·M·卡罗
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机构:
ASMIP私人控股有限公司
ASMIP私人控股有限公司
A·M·卡罗
.
:CN118522635A
,2024-08-20
[9]
均匀涂覆的粒状金属氧化物
[P].
W·E·法内斯
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W·E·法内斯
;
N·赫尔龙
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N·赫尔龙
.
中国专利
:CN1215698A
,1999-05-05
[10]
金属氧化物薄膜的沉积方法及其制备装置
[P].
徐祥准
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徐祥准
;
刘址范
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刘址范
;
郑昊均
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郑昊均
;
赵成珉
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赵成珉
.
中国专利
:CN105821395B
,2016-08-03
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