利用MOCVD沉积金属氧化物薄膜的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200310123290.0

申请日：

2003-12-22

公开(公告)号：

CN1510162A

公开(公告)日：

2004-07-07

发明(设计)人：

庄维佛许胜藤潘威

申请人：

申请人地址：

日本大阪府

IPC主分类号：

C23C1606

IPC分类号：

C23C1640 H01L213205

代理机构：

中科专利商标代理有限责任公司

代理人：

陈瑞丰

法律状态：

专利申请权、专利权的转移

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2013-03-20	专利申请权、专利权的转移	专利权的转移号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101533395200 IPC(主分类):C23C 16/06 专利号:ZL2003101232900 变更事项:专利权人变更前权利人:夏普株式会社变更后权利人:艾凯弗特知识产权公司变更事项:地址变更前权利人:日本大阪府变更后权利人:匈牙利布达佩斯登记生效日:20130208
2016-02-10	专利权的终止	未缴年费专利权终止号牌文件类型代码:1605 号牌文件序号:101645507520 IPC(主分类):C23C 16/06 专利号:ZL2003101232900 申请日:20031222 授权公告日:20060705 终止日期:20141222
2013-03-20	专利申请权、专利权的转移	专利权的转移号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101533395201 IPC(主分类):C23C 16/06 专利号:ZL2003101232900 变更事项:专利权人变更前权利人:艾凯弗特知识产权公司变更后权利人:异基因开发有限责任公司变更事项:地址变更前权利人:匈牙利布达佩斯变更后权利人:美国特拉华州登记生效日:20130208
2004-07-07	公开	公开
2004-09-15	实质审查的生效	实质审查的生效
2006-07-05	授权	授权

共 50 条

[1]

金属氧化物薄膜，沉积金属氧化物薄膜的方法及包含金属氧化物薄膜的装置 [P].

一杉太郎 .

中国专利 :CN107074662B ,2017-08-18

[2]

金属氧化物薄膜的沉积方法及其制备装置 [P].

徐祥准 ;

刘址范 ;

郑昊均 ;

赵成珉 .

中国专利 :CN105821395B ,2016-08-03

[3]

金属氧化物薄膜的制备方法 [P].

李言荣 ;

陶伯万 ;

陈寅 ;

刘兴钊 ;

朱俊 ;

吴传贵 ;

吴健 .

中国专利 :CN100469940C ,2006-03-01

[4]

金属氧化物薄膜的制备方法 [P].

彭钊 .

中国专利 :CN111088484A ,2020-05-01

[5]

一种金属氧化物薄膜的制备方法及金属氧化物薄膜 [P].

杨振怀 ;

郭远军 ;

卫红 ;

胡琅 ;

胡强 ;

肖永能 ;

刘宏 ;

郭可升 .

中国专利 :CN114561617A ,2022-05-31

[6]

金属氧化物、金属氧化物的沉积方法及金属氧化物的沉积装置 [P].

山崎舜平 ;

神保安弘 ;

惠木勇司 ;

挂端哲弥 .

中国专利 :CN115152006A ,2022-10-04

[7]

形成透明金属氧化物薄膜的方法 [P].

张正杰 .

中国专利 :CN101728008A ,2010-06-09

[8]

利用受激氮-氧类进行的金属氧化物薄膜沉积的系统和方法 [P].

E·谢罗 ;

P·雷伊塞宁 ;

S.H.金 ;

王长工 .

中国专利 :CN102625861A ,2012-08-01

[9]

金属氧化物薄膜及其制造方法 [P].

福久孝治 ;

中岛章 ;

筱原贤次 ;

渡部俊也 ;

大崎寿 ;

芹川正 .

中国专利 :CN1564876A ,2005-01-12

[10]

一种双金属氧化物薄膜制备方法及双金属氧化物薄膜 [P].

明帅强 ;

戴昕童 ;

夏洋 ;

屈芙蓉 ;

何萌 ;

赵丽莉 ;

吴非 ;

夏天 .

中国专利 :CN120924941A ,2025-11-11

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