形成透明金属氧化物薄膜的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200810173868.6

申请日：

2008-10-29

公开(公告)号：

CN101728008A

公开(公告)日：

2010-06-09

发明(设计)人：

张正杰

申请人：

申请人地址：

中国台湾台北县

IPC主分类号：

H01B514

IPC分类号：

H01B1300 C23C3000

代理机构：

中科专利商标代理有限责任公司 11021

代理人：

周国城

法律状态：

发明专利申请公布后的视为撤回

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2012-07-11	发明专利申请公布后的视为撤回	发明专利申请公布后的视为撤回号牌文件类型代码:1603 号牌文件序号:101411937145 IPC(主分类):H01B 5/14 专利申请号:2008101738686 公开日:20100609
2010-06-09	公开	公开

共 50 条

[1]

金属氧化物薄膜，沉积金属氧化物薄膜的方法及包含金属氧化物薄膜的装置 [P].

一杉太郎 .

中国专利 :CN107074662B ,2017-08-18

[2]

透明导电氧化物薄膜的制备方法 [P].

刘铭全 .

中国专利 :CN119730486A ,2025-03-28

[3]

透明导电氧化物薄膜的制备方法 [P].

陈剑辉 ;

李锋 ;

沈燕龙 ;

赵文超 ;

李高非 ;

胡志岩 ;

熊景峰 ;

宋登元 .

中国专利 :CN103147041A ,2013-06-12

[4]

透明导电氧化物薄膜的制备方法 [P].

崔鸽 ;

董刚强 ;

李沅民 ;

谭钦 .

中国专利 :CN111446149A ,2020-07-24

[5]

金属氧化物薄膜的制备方法 [P].

李言荣 ;

陶伯万 ;

陈寅 ;

刘兴钊 ;

朱俊 ;

吴传贵 ;

吴健 .

中国专利 :CN100469940C ,2006-03-01

[6]

金属氧化物薄膜的制备方法 [P].

彭钊 .

中国专利 :CN111088484A ,2020-05-01

[7]

一种金属氧化物薄膜的制备方法及金属氧化物薄膜 [P].

杨振怀 ;

郭远军 ;

卫红 ;

胡琅 ;

胡强 ;

肖永能 ;

刘宏 ;

郭可升 .

中国专利 :CN114561617A ,2022-05-31

[8]

金属氧化物有序自组装图形化制备方法及金属氧化物薄膜 [P].

刘川 ;

李敏敏 .

中国专利 :CN107644806A ,2018-01-30

[9]

金属氧化物薄膜及其制造方法 [P].

福久孝治 ;

中岛章 ;

筱原贤次 ;

渡部俊也 ;

大崎寿 ;

芹川正 .

中国专利 :CN1564876A ,2005-01-12

[10]

一种双金属氧化物薄膜制备方法及双金属氧化物薄膜 [P].

明帅强 ;

戴昕童 ;

夏洋 ;

屈芙蓉 ;

何萌 ;

赵丽莉 ;

吴非 ;

夏天 .

中国专利 :CN120924941A ,2025-11-11

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