使用氟及金属卤化物来蚀刻金属氧化物

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202080043058.8

申请日：

2020-06-11

公开(公告)号：

CN114008750B

公开(公告)日：

2025-10-28

发明(设计)人：

K·N·伍兹 Z·崔 M·萨利

申请人：

应用材料公司

申请人地址：

美国加利福尼亚州

IPC主分类号：

H01L21/311

IPC分类号：

代理机构：

上海专利商标事务所有限公司 31100

代理人：

史起源;侯颖媖

法律状态：

授权

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-10-28	授权	授权

共 50 条

[1]

使用氟及金属卤化物来蚀刻金属氧化物 [P].

K·N·伍兹 ;

Z·崔 ;

M·萨利 .

中国专利 :CN114008750A ,2022-02-01

[2]

使用金属卤化物前体的金属氧化物原子层沉积 [P].

李英熙 ;

米歇尔·玛格丽塔·弗洛里斯埃斯皮诺萨 ;

萨曼莎·西亚姆华·坦 .

美国专利 :CN120826495A ,2025-10-21

[3]

使用碱由金属卤化物通过脱卤化氢制备金属氧化物的方法及由其制备的金属氧化物 [P].

金钟勋 .

中国专利 :CN101784474A ,2010-07-21

[4]

一种金属氧化物/金属卤化物复合薄膜忆阻器及其制备方法 [P].

邵赫 ;

刘犇鑫 ;

明建宇 ;

孙晋涛 ;

凌海峰 .

中国专利 :CN118647257A ,2024-09-13

[5]

金属氧化物蚀刻液组合物及蚀刻方法 [P].

大和田拓央 ;

清水寿和 .

中国专利 :CN104449739A ,2015-03-25

[6]

金属氧化物蚀刻液组合物及蚀刻方法 [P].

大和田拓央 ;

清水寿和 .

中国专利 :CN111286333A ,2020-06-16

[7]

蚀刻金属氧化物而蚀刻残留物较少的方法 [P].

A·B·穆里克 ;

A·B·玛里克 ;

S·冈迪科塔 ;

S·S·罗伊 ;

Y·饶 ;

R·弗里德 ;

U·米特拉 .

美国专利 :CN118231247B ,2025-08-05

[8]

蚀刻金属氧化物而蚀刻残留物较少的方法 [P].

A·B·穆里克 ;

A·B·玛里克 ;

S·冈迪科塔 ;

S·S·罗伊 ;

Y·饶 ;

R·弗里德 ;

U·米特拉 .

美国专利 :CN118231247A ,2024-06-21

[9]

蚀刻金属氧化物而蚀刻残留物较少的方法 [P].

A·B·穆里克 ;

A·B·玛里克 ;

S·冈迪科塔 ;

S·S·罗伊 ;

Y·饶 ;

R·弗里德 ;

U·米特拉 .

美国专利 :CN111566786B ,2024-03-15

[10]

蚀刻金属氧化物而蚀刻残留物较少的方法 [P].

A·B·穆里克 ;

A·B·玛里克 ;

S·冈迪科塔 ;

S·S·罗伊 ;

Y·饶 ;

R·弗里德 ;

U·米特拉 .

中国专利 :CN111566786A ,2020-08-21

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