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蚀刻金属氧化物而蚀刻残留物较少的方法

被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN201880084984.2
申请日：
2018-12-13
公开(公告)号：
CN111566786B
公开(公告)日：
2024-03-15
发明(设计)人：
A·B·穆里克 A·B·玛里克 S·冈迪科塔 S·S·罗伊 Y·饶 R·弗里德 U·米特拉
申请人：
应用材料公司
申请人地址：
美国加利福尼亚州
IPC主分类号：
H01L21/3213
IPC分类号：
H01L21/306 H01L21/027 H01L21/67
代理机构：
上海专利商标事务所有限公司 31100
代理人：
杨学春;侯颖媖
法律状态：
授权
国省代码：
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法律状态
法律状态公告日 法律状态 法律状态信息
2024-03-15 授权 授权
共 50 条
[1]
蚀刻金属氧化物而蚀刻残留物较少的方法 [P]. 
A·B·穆里克 ;
A·B·玛里克 ;
S·冈迪科塔 ;
S·S·罗伊 ;
Y·饶 ;
R·弗里德 ;
U·米特拉 .
美国专利 :CN118231247B ,2025-08-05
[2]
蚀刻金属氧化物而蚀刻残留物较少的方法 [P]. 
A·B·穆里克 ;
A·B·玛里克 ;
S·冈迪科塔 ;
S·S·罗伊 ;
Y·饶 ;
R·弗里德 ;
U·米特拉 .
美国专利 :CN118231247A ,2024-06-21
[3]
蚀刻金属氧化物而蚀刻残留物较少的方法 [P]. 
A·B·穆里克 ;
A·B·玛里克 ;
S·冈迪科塔 ;
S·S·罗伊 ;
Y·饶 ;
R·弗里德 ;
U·米特拉 .
中国专利 :CN111566786A ,2020-08-21
[4]
金属氧化物蚀刻液组合物及蚀刻方法 [P]. 
大和田拓央 ;
清水寿和 .
中国专利 :CN104449739A ,2015-03-25
[5]
金属氧化物蚀刻液组合物及蚀刻方法 [P]. 
大和田拓央 ;
清水寿和 .
中国专利 :CN111286333A ,2020-06-16
[6]
金属氧化物膜的原子层蚀刻方法 [P]. 
郑星雄 ;
郭正勋 ;
权柄香 ;
曹榕浚 .
韩国专利 :CN119384715A ,2025-01-28
[7]
铜系金属膜和金属氧化物膜蚀刻液组合物及蚀刻方法 [P]. 
李恩远 ;
朴升煜 ;
梁承宰 .
中国专利 :CN107083552A ,2017-08-22
[8]
用于金属氧化物层的蚀刻剂组合物 [P]. 
权五炳 ;
金童基 ;
田玹守 .
中国专利 :CN103911157A ,2014-07-09
[9]
用于金属氧化物层的蚀刻剂组合物 [P]. 
金童基 ;
田玹守 ;
郑敬燮 .
中国专利 :CN103911156B ,2014-07-09
[10]
用于金属氧化物层的蚀刻剂组合物 [P]. 
权五炳 ;
金童基 ;
李智娟 .
中国专利 :CN103911158A ,2014-07-09
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