用于金属氧化物层或膜沉积的前体

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200480007136.X

申请日：

2004-03-11

公开(公告)号：

CN100526318C

公开(公告)日：

2006-04-19

发明(设计)人：

A·C·琼斯

申请人：

申请人地址：

英国莫西赛德郡

IPC主分类号：

C07F500

IPC分类号：

C23C1640

代理机构：

中国国际贸易促进委员会专利商标事务所

代理人：

任宗华

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2006-04-19	公开	公开
2009-08-12	授权	授权
2006-06-07	实质审查的生效	实质审查的生效
2009-10-07	专利申请权、专利权的转移(专利权的转移)	专利申请权、专利权的转移(专利权的转移) 变更事项:专利权人变更前权利人:埃普切公司变更后权利人:西格玛-奥古奇公司变更事项:地址变更前:英国莫西赛德郡变更后:美国密苏里州登记生效日:20090828

共 50 条

[1]

使用金属卤化物前体的金属氧化物原子层沉积 [P].

李英熙 ;

米歇尔·玛格丽塔·弗洛里斯埃斯皮诺萨 ;

萨曼莎·西亚姆华·坦 .

美国专利 :CN120826495A ,2025-10-21

[2]

用于制备氧化层的基于金属氧化物前体的可直接结构化的配制物 [P].

A·梅尔库洛夫 ;

J·布伦特 ;

J·克林 .

中国专利 :CN110494506A ,2019-11-22

[3]

用于2族金属氧化物膜的沉积的2族金属前体 [P].

雷新建 ;

D·P·斯彭斯 ;

J·A·T·诺曼 ;

M·厄尔曼 .

中国专利 :CN101735082A ,2010-06-16

[4]

用于沉积金属氧化物膜的方法 [P].

卡洛·塔利亚尼 ;

彼得·诺扎尔 .

中国专利 :CN101970709A ,2011-02-09

[5]

金属氧化物层的形成 [P].

拉马·I·赫格德 .

中国专利 :CN109003881A ,2018-12-14

[6]

用于在有机材料上沉积金属氧化物膜的沉积工具和方法 [P].

阿希尔·辛格哈尔 ;

帕特里克·范克利蒙布特 .

中国专利 :CN112334598A ,2021-02-05

[7]

金属氧化物、金属氧化物的沉积方法及金属氧化物的沉积装置 [P].

山崎舜平 ;

神保安弘 ;

惠木勇司 ;

挂端哲弥 .

中国专利 :CN115152006A ,2022-10-04

[8]

用于制备光学金属氧化物层的调配物 [P].

R·施瑞博尔 ;

A·波尔克菲尔德 ;

O·萨顿 .

德国专利 :CN121039075A ,2025-11-28

[9]

用于金属氧化物层的蚀刻剂组合物 [P].

权五炳 ;

金童基 ;

田玹守 .

中国专利 :CN103911157A ,2014-07-09

[10]

用于金属氧化物层的蚀刻剂组合物 [P].

权五炳 ;

金童基 ;

李智娟 .

中国专利 :CN103911158A ,2014-07-09

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