金属氧化物薄膜用靶子材料及其制法、以及金属氧化物薄膜的制法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN99805350.3

申请日：

1999-04-16

公开(公告)号：

CN100384716C

公开(公告)日：

2001-06-06

发明(设计)人：

斋藤秀俊大盐茂夫佐藤良南部信义中村淳古川正法

申请人：

申请人地址：

日本大阪府

IPC主分类号：

C01B1318

IPC分类号：

C23C1434 C01G300 C01F1700 C01G2300 C30B2922

代理机构：

中科专利商标代理有限责任公司

代理人：

汪惠民

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2008-04-30	授权	授权
2015-05-27	专利权的终止	未缴年费专利权终止号牌文件类型代码:1605 号牌文件序号:101611570579 IPC(主分类):C01B 13/18 专利号:ZL998053503 申请日:19990416 授权公告日:20080430 终止日期:20140416
2001-06-06	公开	公开
2001-06-13	实质审查请求的生效	实质审查请求的生效

共 50 条

[1]

金属氧化物薄膜，沉积金属氧化物薄膜的方法及包含金属氧化物薄膜的装置 [P].

一杉太郎 .

中国专利 :CN107074662B ,2017-08-18

[2]

一种金属氧化物薄膜的制备方法及金属氧化物薄膜 [P].

杨振怀 ;

郭远军 ;

卫红 ;

胡琅 ;

胡强 ;

肖永能 ;

刘宏 ;

郭可升 .

中国专利 :CN114561617A ,2022-05-31

[3]

金属氧化物薄膜及其制造方法 [P].

福久孝治 ;

中岛章 ;

筱原贤次 ;

渡部俊也 ;

大崎寿 ;

芹川正 .

中国专利 :CN1564876A ,2005-01-12

[4]

金属氧化物薄膜的制备方法 [P].

李言荣 ;

陶伯万 ;

陈寅 ;

刘兴钊 ;

朱俊 ;

吴传贵 ;

吴健 .

中国专利 :CN100469940C ,2006-03-01

[5]

金属氧化物薄膜的制备方法 [P].

彭钊 .

中国专利 :CN111088484A ,2020-05-01

[6]

无机氧化物电热薄膜及其制法 [P].

尹维平 ;

郭德璞 .

中国专利 :CN1052370C ,1996-11-20

[7]

一种双金属氧化物薄膜制备方法及双金属氧化物薄膜 [P].

明帅强 ;

戴昕童 ;

夏洋 ;

屈芙蓉 ;

何萌 ;

赵丽莉 ;

吴非 ;

夏天 .

中国专利 :CN120924941A ,2025-11-11

[8]

金属氧化物浆料、孔径可控的金属氧化物薄膜及其制备方法和应用 [P].

杨松旺 ;

邵君 ;

刘岩 .

中国专利 :CN108806829A ,2018-11-13

[9]

亚化学计量金属氧化物薄膜 [P].

J·罗泽恩 ;

M·M·弗兰克 ;

小川洋平 .

中国专利 :CN114072537A ,2022-02-18

[10]

金属氧化物薄膜电阻器 [P].

服部章良 ;

堀喜博 ;

池田正树 ;

吉田昭彦 ;

进藤泰宏 ;

五十岚幸造 .

中国专利 :CN1148902A ,1997-04-30

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