LDMOS器件及提升其热载流子注入效应寿命的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201811283776.3

申请日：

2018-10-31

公开(公告)号：

CN111128729B

公开(公告)日：

2020-05-08

发明(设计)人：

金宏峰

申请人：

申请人地址：

214028 江苏省无锡市国家高新技术产业开发区新洲路8号

IPC主分类号：

H01L21336

IPC分类号：

H01L2906 H01L2908 H01L2978

代理机构：

广州华进联合专利商标代理有限公司 44224

代理人：

邓云鹏

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2020-06-02	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 21/336 申请日:20181031
2021-08-24	授权	授权
2020-05-08	公开	公开

共 50 条

[1]

一种LDMOS器件热载流子注入效应的测试方法 [P].

杨涛 ;

王少荣 .

中国专利 :CN103852700A ,2014-06-11

[2]

热载流子注入效应的寿命评估方法和系统 [P].

何玉娟 ;

章晓文 .

中国专利 :CN108051722A ,2018-05-18

[3]

LDMOS器件、抑制热载流子效应所导致LDMOS器件退化的方法 [P].

莫海锋 .

中国专利 :CN114551579A ,2022-05-27

[4]

MOS器件热载流子注入效应测量方法 [P].

章晓文 .

中国专利 :CN1588104A ,2005-03-02

[5]

确定热载流子注入器件寿命的方法 [P].

唐逸 ;

周伟 ;

任铮 .

中国专利 :CN102495345A ,2012-06-13

[6]

一种测试器件热载流子注入效应的方法 [P].

牛刚 ;

于建姝 .

中国专利 :CN104977519A ,2015-10-14

[7]

并行测量热载流子注入效应的方法 [P].

高超 .

中国专利 :CN101692449A ,2010-04-07

[8]

热载流子注入效应的寿命评估方法、装置和计算机设备 [P].

何玉娟 ;

章晓文 .

中国专利 :CN111060794B ,2020-04-24

[9]

一种改善IO器件热载流子效应的方法 [P].

陆逸枫 ;

张志诚 ;

陈明志 .

中国专利 :CN111653485A ,2020-09-11

[10]

一种快速批量精确测试MOS器件热载流子注入效应的电路 [P].

张铭 .

中国专利 :CN108549002A ,2018-09-18

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