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LDMOS器件、抑制热载流子效应所导致LDMOS器件退化的方法

被引：0
申请号：
CN202011336847.9
申请日：
2020-11-25
公开(公告)号：
CN114551579A
公开(公告)日：
2022-05-27
发明(设计)人：
莫海锋
申请人：
申请人地址：
215000 江苏省苏州市工业园区星湖街328号创意产业园10-1F
IPC主分类号：
H01L2910
IPC分类号：
H01L2978
代理机构：
南京利丰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 32256
代理人：
赵世发
法律状态：
公开
国省代码：
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法律状态
法律状态公告日 法律状态 法律状态信息
2022-05-27 公开 公开
2022-06-14 实质审查的生效 实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 29/10 申请日:20201125
共 50 条
[1]
一种LDMOS器件热载流子注入效应的测试方法 [P]. 
杨涛 ;
王少荣 .
中国专利 :CN103852700A ,2014-06-11
[2]
LDMOS器件的制作方法和LDMOS器件 [P]. 
嵇彤 ;
叶甜春 ;
朱纪军 ;
李彬鸿 ;
罗军 ;
赵杰 ;
许静 ;
许滨滨 ;
王国庆 .
中国专利 :CN115360230B ,2024-05-07
[3]
LDMOS器件的制作方法和LDMOS器件 [P]. 
嵇彤 ;
叶甜春 ;
朱纪军 ;
李彬鸿 ;
罗军 ;
赵杰 ;
许静 ;
许滨滨 ;
王国庆 .
中国专利 :CN115360230A ,2022-11-18
[4]
LDMOS器件及提升其热载流子注入效应寿命的方法 [P]. 
金宏峰 .
中国专利 :CN111128729B ,2020-05-08
[5]
双载流子LDMOS器件及制造方法 [P]. 
赵东艳 ;
吴波 ;
刘芳 ;
郭乾文 ;
张睿 ;
邓永峰 .
中国专利 :CN118136680B ,2024-07-19
[6]
双载流子LDMOS器件及制造方法 [P]. 
赵东艳 ;
吴波 ;
刘芳 ;
郭乾文 ;
张睿 ;
邓永峰 .
中国专利 :CN118136680A ,2024-06-04
[7]
LDMOS器件的制作方法、LDMOS器件 [P]. 
刘俊文 ;
陈华伦 ;
陈瑜 .
中国专利 :CN111180339B ,2020-05-19
[8]
LDMOS器件的制备方法及LDMOS器件 [P]. 
许昭昭 .
中国专利 :CN111403286A ,2020-07-10
[9]
HCI优化的LDMOS器件 [P]. 
田甜 ;
许昭昭 .
中国专利 :CN118919568A ,2024-11-08
[10]
LDMOS器件的制造方法及LDMOS器件 [P]. 
王清钢 .
中国专利 :CN120379288A ,2025-07-25
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