一种掺钕氟化钇钆锂晶体及其生长方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201210565733.0

申请日：

2012-12-24

公开(公告)号：

CN103103610A

公开(公告)日：

2013-05-15

发明(设计)人：

张作望吴少凡

申请人：

申请人地址：

350003 福建省福州市鼓楼区软件大道89号福州软件园F区9号楼福晶科技园

IPC主分类号：

C30B2912

IPC分类号：

C30B1500 C30B3302

代理机构：

代理人：

法律状态：

实质审查的生效

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2014-07-30	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101584098111 IPC(主分类):C30B 29/12 专利申请号:2012105657330 申请日:20121224
2016-12-07	发明专利申请公布后的视为撤回	发明专利申请公布后的视为撤回号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101742851124 IPC(主分类):C30B 29/12 专利申请号:2012105657330 申请公布日:20130515
2013-05-15	公开	公开

共 50 条

[1]

掺铒氟化钆锂晶体及其生长方法 [P].

刘景和 ;

李春 ;

曾繁明 ;

张学建 ;

张莹 ;

林海 ;

金银锁 ;

秦杰明 ;

董仲伟 ;

董国飞 .

中国专利 :CN101864595A ,2010-10-20

[2]

一种掺钬氟化钆钡晶体及其生长方法 [P].

曾繁明 ;

王新宇 ;

李春 ;

林海 ;

刘丽娜 ;

周艳艳 ;

刘景和 .

中国专利 :CN109837588A ,2019-06-04

[3]

一种用于白光LED的掺镝氟化钇钆锂单晶体及其生长方法 [P].

夏海平 ;

董艳明 ;

符立 ;

李珊珊 ;

唐磊 ;

汪沛渊 ;

彭江涛 ;

张约品 .

中国专利 :CN103820853A ,2014-05-28

[4]

掺钕的硅酸钇钆激光晶体及其制备方法 [P].

徐晓东 ;

李东振 ;

吴锋 ;

成诗恕 ;

程艳 ;

周大华 .

中国专利 :CN101709507A ,2010-05-19

[5]

一种掺钕钒酸镧钇激光晶体及其制备方法和应用 [P].

陈新 ;

卢秀爱 ;

吴砺 ;

陈卫民 ;

凌吉武 .

中国专利 :CN101319395A ,2008-12-10

[6]

镱钆共掺氟化钡晶体及其制备方法 [P].

尹继刚 ;

杭寅 ;

张连翰 ;

何晓明 ;

赵呈春 .

中国专利 :CN101864596A ,2010-10-20

[7]

一种用于生长掺钕氟化钇锂的单晶炉 [P].

万文 .

中国专利 :CN118166426A ,2024-06-11

[8]

一种用于生长掺钕氟化钇锂的单晶炉 [P].

万文 ;

万黎明 .

中国专利 :CN222886767U ,2025-05-20

[9]

掺钕钆镓石榴石激光晶体的生长方法 [P].

姜本学 ;

赵志伟 ;

徐晓东 ;

宋平新 ;

徐军 ;

王晓丹 .

中国专利 :CN1621576A ,2005-06-01

[10]

一种掺钕钨酸钇钾激光晶体的生长方法 [P].

陈振强 ;

王如刚 ;

林浪 ;

胡国勇 .

中国专利 :CN1995492B ,2007-07-11

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