一种用于生长掺钕氟化钇锂的单晶炉

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202410439413.3

申请日：

2024-04-12

公开(公告)号：

CN118166426A

公开(公告)日：

2024-06-11

发明(设计)人：

万文

申请人：

安徽环巢光电科技有限公司

申请人地址：

238076 安徽省合肥市巢湖市居巢区黄麓镇临湖居委会

IPC主分类号：

C30B29/12

IPC分类号：

C30B15/00 C30B15/20 G01M3/16 G01K13/00

代理机构：

合肥中谷知识产权代理事务所(普通合伙) 34146

代理人：

储世昌

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

安徽省合肥市

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2024-06-28	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):C30B 29/12申请日:20240412
2024-06-11	公开	公开

共 50 条

[1]

一种用于生长掺钕氟化钇锂的单晶炉 [P].

万文 ;

万黎明 .

中国专利 :CN222886767U ,2025-05-20

[2]

一种掺钕氟化钇钆锂晶体及其生长方法 [P].

张作望 ;

吴少凡 .

中国专利 :CN103103610A ,2013-05-15

[3]

一种掺镨氟化钇锂晶体生长方法 [P].

王冬 ;

胡卫东 .

中国专利 :CN102925973A ,2013-02-13

[4]

氟化钇锂激光晶体的生长装置、生长炉及制备方法 [P].

李兴旺 ;

马晓明 ;

张月娟 ;

夏士兴 ;

杨国利 ;

王永国 .

中国专利 :CN104674344B ,2015-06-03

[5]

一种用于白光LED的掺镝氟化钇钆锂单晶体及其生长方法 [P].

夏海平 ;

董艳明 ;

符立 ;

李珊珊 ;

唐磊 ;

汪沛渊 ;

彭江涛 ;

张约品 .

中国专利 :CN103820853A ,2014-05-28

[6]

一种用于大尺寸高质量氟化钇锂晶体生长的保温桶及晶体制备方法 [P].

万文 .

中国专利 :CN118272926A ,2024-07-02

[7]

一种用于VB法InP单晶生长的单晶炉 [P].

罗福敏 ;

胡昌勇 ;

李勇 .

中国专利 :CN112195518A ,2021-01-08

[8]

一种用于VB法InP单晶生长的单晶炉 [P].

罗福敏 ;

胡昌勇 ;

李勇 .

中国专利 :CN213925130U ,2021-08-10

[9]

一种氟化钇锂复合晶体及其制备方法 [P].

张月娟 ;

李兴旺 ;

杨国利 ;

王军杰 ;

庞才印 ;

莫小刚 ;

王永国 ;

夏士兴 .

中国专利 :CN104099665B ,2014-10-15

[10]

一种掺杂氟化钇锂晶体及其制备方法 [P].

罗毅 ;

龚瑞 .

中国专利 :CN119320981A ,2025-01-17

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