一种用于大尺寸高质量氟化钇锂晶体生长的保温桶及晶体制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202410439412.9

申请日：

2024-04-12

公开(公告)号：

CN118272926A

公开(公告)日：

2024-07-02

发明(设计)人：

万文

申请人：

安徽环巢光电科技有限公司

申请人地址：

238076 安徽省合肥市巢湖市居巢区黄麓镇临湖居委会

IPC主分类号：

C30B29/12

IPC分类号：

B66F9/12 B66C23/64 C30B15/00 C30B27/02

代理机构：

合肥中谷知识产权代理事务所(普通合伙) 34146

代理人：

储世昌

法律状态：

公开

国省代码：

安徽省合肥市

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2024-07-02	公开	公开
2025-01-07	发明专利申请公布后的撤回	发明专利申请公布后的撤回IPC(主分类):C30B 29/12申请公布日:20240702
2024-07-19	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):C30B 29/12申请日:20240412

共 50 条

[1]

一种熔融法制备氟化钇锂晶体生长原料装置及方法 [P].

刘文鹏 ;

张庆礼 ;

赵凯旋 ;

王小飞 ;

高进云 ;

窦仁勤 .

中国专利 :CN118600551A ,2024-09-06

[2]

一种氟化钇锂复合晶体及其制备方法 [P].

张月娟 ;

李兴旺 ;

杨国利 ;

王军杰 ;

庞才印 ;

莫小刚 ;

王永国 ;

夏士兴 .

中国专利 :CN104099665B ,2014-10-15

[3]

一种掺杂氟化钇锂晶体及其制备方法 [P].

罗毅 ;

龚瑞 .

中国专利 :CN119320981A ,2025-01-17

[4]

氟化钇锂激光晶体的生长装置、生长炉及制备方法 [P].

李兴旺 ;

马晓明 ;

张月娟 ;

夏士兴 ;

杨国利 ;

王永国 .

中国专利 :CN104674344B ,2015-06-03

[5]

一种掺镨氟化钇锂晶体生长方法 [P].

王冬 ;

胡卫东 .

中国专利 :CN102925973A ,2013-02-13

[6]

一种晶体生长热场用保温桶 [P].

黄小卫 ;

赵慧彬 ;

叶长圳 .

中国专利 :CN102304768A ,2012-01-04

[7]

一种氟化钇锂复合晶体及其制备方法 [P].

万文 .

中国专利 :CN119753852B ,2025-07-15

[8]

一种氟化钇锂复合晶体及其制备方法 [P].

万文 .

中国专利 :CN119753852A ,2025-04-04

[9]

一种高频加热氟化钇锂晶体的方法 [P].

万文 ;

万黎明 .

中国专利 :CN110699748A ,2020-01-17

[10]

一种用于生长掺钕氟化钇锂的单晶炉 [P].

万文 .

中国专利 :CN118166426A ,2024-06-11

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