一种基于高电子迁移率晶体管太赫兹空间相位调制器

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201510965154.9

申请日：

2015-12-21

公开(公告)号：

CN105549228A

公开(公告)日：

2016-05-04

发明(设计)人：

张雅鑫赵运成梁士雄乔绅杨梓强

申请人：

申请人地址：

611731 四川省成都市高新区（西区）西源大道2006号

IPC主分类号：

G02F1015

IPC分类号：

代理机构：

电子科技大学专利中心 51203

代理人：

张杨

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2018-06-19	授权	授权
2016-05-04	公开	公开
2016-06-01	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101662920418 IPC(主分类):G02F 1/015 专利申请号:2015109651549 申请日:20151221

共 50 条

[1]

一种基于高电子迁移率晶体管太赫兹空间相位调制器 [P].

刘梅 .

中国专利 :CN109557689A ,2019-04-02

[2]

基于高电子迁移率晶体管太赫兹波空间外部调制器 [P].

张雅鑫 ;

乔绅 ;

梁士雄 ;

杨梓强 ;

冯志红 .

中国专利 :CN103346406A ,2013-10-09

[3]

一种基于高电子迁移率晶体管的太赫兹多频带调制器 [P].

张雅鑫 ;

赵运成 ;

梁士雄 ;

乔绅 ;

杨梓强 .

中国专利 :CN105610410A ,2016-05-25

[4]

高电子迁移率晶体管 [P].

A·库迪姆 ;

J·拉姆德尼 ;

L·刘 .

中国专利 :CN105720096A ,2016-06-29

[5]

基于高电子迁移率晶体管波前快速扫描成像调制器 [P].

张雅鑫 ;

蔡雪丹 ;

张亭 ;

曾泓鑫 ;

梁士雄 ;

杨梓强 .

中国专利 :CN108417589A ,2018-08-17

[6]

高电子迁移率晶体管 [P].

乔夫·德卢伊 .

:CN110754002B ,2024-03-19

[7]

高电子迁移率晶体管 [P].

杨伟臣 ;

何伟志 .

中国专利 :CN120111925A ,2025-06-06

[8]

高电子迁移率晶体管 [P].

乔夫·德卢伊 .

中国专利 :CN110754002A ,2020-02-04

[9]

高电子迁移率晶体管 [P].

魏星 ;

王中健 ;

狄增峰 ;

方子韦 .

中国专利 :CN103745989B ,2014-04-23

[10]

一种基于高电子迁移率晶体管的频点可调太赫兹波调制器 [P].

文岐业 ;

殷亮 ;

刘朝阳 ;

李加洋 ;

沈雁飞 ;

文天龙 ;

陈智 ;

杨青慧 ;

张怀武 .

中国专利 :CN106405883A ,2017-02-15

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