一种高纯度四氧化钴的制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201710699274.8

申请日：

2017-08-15

公开(公告)号：

CN107324404A

公开(公告)日：

2017-11-07

发明(设计)人：

侯涛郭彩宏凌青

申请人：

申请人地址：

201499 上海市奉贤区南桥镇旗港路1008号

IPC主分类号：

C01G5104

IPC分类号：

代理机构：

上海申汇专利代理有限公司 31001

代理人：

翁若莹;王文颖

法律状态：

发明专利申请公布后的视为撤回

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2019-10-18	发明专利申请公布后的视为撤回	发明专利申请公布后的视为撤回 IPC(主分类):C01G 51/04 申请公布日:20171107
2017-12-01	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):C01G 51/04 申请日:20170815
2017-11-07	公开	公开

共 50 条

[1]

一种高纯度氧化镝的制备方法 [P].

凌青 ;

刘玉强 .

中国专利 :CN106745173A ,2017-05-31

[2]

高纯度球形四氧化三钴的制备方法 [P].

王浩然 ;

其鲁 ;

李卫 ;

郝雷明 ;

钱大伟 ;

王方香 .

中国专利 :CN1189402C ,2004-01-28

[3]

一种高纯度钨酸的制备方法 [P].

凌青 .

中国专利 :CN104386755B ,2015-03-04

[4]

纳米氧化钴的制备方法 [P].

戴振华 ;

柏瑞芳 ;

丁一东 .

中国专利 :CN101982421A ,2011-03-02

[5]

一种高纯度球形四氧化三钴的制备方法 [P].

张振潜 ;

郑良明 ;

曹刚 ;

张玉青 .

中国专利 :CN112850806A ,2021-05-28

[6]

一种高纯度二氧化钛的制备工艺 [P].

凌青 ;

张传主 .

中国专利 :CN106745220A ,2017-05-31

[7]

一种高纯度四氧化三钴的制造方法 [P].

曾福兴 .

中国专利 :CN1587069A ,2005-03-02

[8]

高纯度四氧化三钴粉体的清洁生产方法 [P].

陈范才 ;

李文军 ;

陈良木 ;

胡小冬 ;

吴道明 ;

徐超 ;

王子天 .

中国专利 :CN101525752B ,2009-09-09

[9]

一种羟基氧化钴的制备方法 [P].

周汉章 ;

唐红辉 ;

刘更好 ;

廖折军 .

中国专利 :CN102569785A ,2012-07-11

[10]

一种氧化钴薄膜电极的原位制备方法 [P].

樊玉欠 ;

李丽霞 ;

王璐萌 ;

余文婷 ;

马志鹏 ;

邵光杰 .

中国专利 :CN108899221A ,2018-11-27

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