具有衬底适配器的半导体元件及其制造方法和其接触方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201510802140.5

申请日：

2015-11-19

公开(公告)号：

CN105632951A

公开(公告)日：

2016-06-01

发明(设计)人：

马丁·布雷夫斯安德列亚斯·欣里希安德列亚斯·克莱因迈克尔·舍费尔伊利萨·维赛勒

申请人：

申请人地址：

德国哈瑙

IPC主分类号：

H01L2160

IPC分类号：

H01L23485

代理机构：

北京安信方达知识产权代理有限公司 11262

代理人：

程爽;郑霞

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2016-06-29	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101667880019 IPC(主分类):H01L 21/60 专利申请号:2015108021405 申请日:20151119
2019-03-05	发明专利申请公布后的视为撤回	发明专利申请公布后的视为撤回 IPC(主分类):H01L 21/60 申请公布日:20160601
2016-06-01	公开	公开

共 50 条

[1]

用于制造衬底适配器的方法、衬底适配器及用于接触半导体元件的方法 [P].

伊利萨·维赛勒 ;

弗兰克·克鲁格 ;

马丁·布雷夫斯 ;

迈克尔·舍费尔 ;

安德列亚斯·欣里希 ;

安德烈亚斯·斯蒂芬·克莱恩 .

中国专利 :CN106575632A ,2017-04-19

[2]

基板适配器生产方法、基板适配器和半导体元件接触方法 [P].

马丁·布雷夫斯 ;

安德列亚斯·欣里希 ;

安德列亚斯·克莱因 ;

迈克尔·舍费尔 ;

伊利萨·克里尔 .

中国专利 :CN105632949B ,2016-06-01

[3]

适配器元件、具有适配器元件的系统及用于制造适配器元件的方法 [P].

约翰内斯·维森德 .

德国专利 :CN113892216B ,2024-03-26

[4]

半导体装置及其预成型适配器和制造方法 [P].

何中雄 ;

李季学 .

中国专利 :CN117913033A ,2024-04-19

[5]

半导体衬底、半导体元件及其制造方法 [P].

高桥邦方 ;

内田正雄 ;

北畠真 ;

横川俊哉 ;

楠本修 ;

山下贤哉 ;

宫永良子 .

中国专利 :CN1260776C ,2003-04-30

[6]

半导体元件衬底及其制造方法 [P].

冈本朋昭 ;

柳雅彦 ;

川上知巳 .

中国专利 :CN105453250A ,2016-03-30

[7]

制造衬底适配器的方法和用于与电子器件连接的衬底适配器 [P].

A·S·克莱因 ;

A·欣里希 ;

M·沙福尔 ;

Y·勒韦尔 ;

W·施米特 ;

M·莱麦尔 .

中国专利 :CN111293042A ,2020-06-16

[8]

半导体装置及其适配器 [P].

西沢裕孝 ;

小池秀雄 ;

岩崎浩典 ;

大迫润一郎 ;

篠原稔 ;

和田环 ;

户塚隆 .

中国专利 :CN101536018A ,2009-09-16

[9]

半导体元件和具有其的半导体装置以及半导体元件的制造方法 [P].

盐路修司 ;

藏本雅史 .

中国专利 :CN104821357B ,2015-08-05

[10]

半导体元件和其制造方法 [P].

畑雅幸 ;

野村康彦 .

中国专利 :CN101501947B ,2009-08-05

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