半导体装置及其制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202110878280.6

申请日：

2021-07-30

公开(公告)号：

CN114068464A

公开(公告)日：

2022-02-18

发明(设计)人：

越智正三北浦秀敏

申请人：

申请人地址：

日本大阪府

IPC主分类号：

H01L23488

IPC分类号：

H01L23498 H01L21603

代理机构：

中科专利商标代理有限责任公司 11021

代理人：

王亚爱

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2022-02-18	公开	公开

共 50 条

[1]

半导体装置及其制造方法 [P].

浅井林太郎 .

中国专利 :CN109727959A ,2019-05-07

[2]

半导体装置及其制造方法 [P].

高桥卓也 .

日本专利 :CN114512462B ,2025-11-28

[3]

半导体装置及其制造方法 [P].

大坪义贵 ;

吉田博 ;

藤野纯司 ;

菊池正雄 ;

村井淳一 .

中国专利 :CN105405815A ,2016-03-16

[4]

半导体装置及其制造方法 [P].

藤野纯司 ;

小川道雄 ;

川添智香 ;

和田文雄 ;

石川悟 .

中国专利 :CN115315805A ,2022-11-08

[5]

半导体装置及其制造方法 [P].

高桥卓也 .

中国专利 :CN114512462A ,2022-05-17

[6]

半导体装置及其制造方法 [P].

日野泰成 .

中国专利 :CN104637832A ,2015-05-20

[7]

半导体装置及其制造方法 [P].

吉松直树 ;

石山祐介 ;

鹿野武敏 ;

井本裕儿 ;

藤野纯司 ;

浅田晋助 .

中国专利 :CN105489586B ,2016-04-13

[8]

半导体装置及其制造方法 [P].

吉田基 ;

末广善幸 ;

须贺原和之 ;

中西洋介 ;

横山吉典 ;

曾田真之介 ;

林功明 .

中国专利 :CN109075159A ,2018-12-21

[9]

半导体装置及其制造方法 [P].

藤野纯司 ;

小川道雄 ;

川添智香 ;

和田文雄 ;

石川悟 .

日本专利 :CN115315805B ,2025-01-10

[10]

半导体装置及其制造方法 [P].

原田启行 ;

原田耕三 ;

畑中康道 ;

西村隆 ;

田屋昌树 .

中国专利 :CN108604589A ,2018-09-28

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