H+离子刻蚀金刚石核制备(001)高取向金刚石薄膜的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN02104120.2

申请日：

2002-03-06

公开(公告)号：

CN1442507A

公开(公告)日：

2003-09-17

发明(设计)人：

顾长志

申请人：

申请人地址：

100080北京市海淀区中关村南三街8号

IPC主分类号：

C23C1627

IPC分类号：

代理机构：

上海智信专利代理有限公司

代理人：

高存秀

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2002-08-28	实质审查的生效	实质审查的生效
2003-09-17	公开	公开
2003-12-03	实质审查的生效	实质审查的生效
2009-05-06	专利权的终止(未缴年费专利权终止)	专利权的终止(未缴年费专利权终止)
2006-08-02	授权	授权

共 50 条

[1]

基于类金刚石薄膜中间层的纳米金刚石薄膜制备方法 [P].

汪琳 ;

李泰然 ;

姜亦杨 ;

黄健 ;

王林军 .

中国专利 :CN109811303A ,2019-05-28

[2]

制备金刚石和类金刚石薄膜的方法 [P].

马志斌 ;

汪建华 .

中国专利 :CN1410590A ,2003-04-16

[3]

单晶金刚石基板的制备方法及生长单晶金刚石的基材 [P].

郭艳敏 ;

王楠 ;

赵堃 ;

莫宇 .

中国专利 :CN116516476B ,2024-02-13

[4]

一种低翘曲度多晶金刚石薄膜及其制备方法 [P].

孟祥旭 ;

张鹏飞 ;

夏营 ;

梅远洋 ;

刘洋 ;

常豪锋 ;

张杨 ;

赵炯 ;

张云鹤 .

中国专利 :CN120519820A ,2025-08-22

[5]

金刚石薄膜的制造方法及金刚石薄膜制造装置 [P].

安藤瞭汰 ;

长町学 ;

辰巳夏生 .

日本专利 :CN120858197A ,2025-10-28

[6]

一种基于氮化铝陶瓷衬底生长金刚石薄膜的方法及金刚石薄膜和应用 [P].

李铁军 ;

潘金艳 ;

邵桂芳 ;

师云龙 ;

邹浩文 ;

何若彤 ;

官良诚 .

中国专利 :CN120119224A ,2025-06-10

[7]

金刚石薄膜及其制备方法 [P].

刘晓蕊 ;

何斌 ;

高新箐 ;

王术 ;

韩培刚 ;

张宗雁 ;

黄江涛 .

中国专利 :CN119753618A ,2025-04-04

[8]

一种纳米金刚石薄膜及其制备方法 [P].

杨彬 ;

雷乐成 ;

李浩 .

中国专利 :CN105755448A ,2016-07-13

[9]

多晶金刚石片的制备方法及多晶金刚石片 [P].

张晶 ;

王陶 ;

肖柏汲 .

中国专利 :CN120400996A ,2025-08-01

[10]

n型CVD共掺杂金刚石薄膜的制备方法 [P].

李荣斌 ;

徐建辉 .

中国专利 :CN100390316C ,2006-07-19

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