一种制备高纯度硅颗粒的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201510632181.4

申请日：

2015-09-29

公开(公告)号：

CN105417545B

公开(公告)日：

2016-03-23

发明(设计)人：

朱嘉宗麟奇崔屹

申请人：

申请人地址：

210093 江苏省南京市鼓楼区汉口路22号

IPC主分类号：

C01B33037

IPC分类号：

代理机构：

中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038

代理人：

李帆

法律状态：

授权

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2018-11-23	授权	授权
2016-04-20	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101656308195 IPC(主分类):C01B 33/037 专利申请号:2015106321814 申请日:20150929
2016-03-23	公开	公开

共 50 条

[1]

一种高纯度纳米多孔硅及硅-碳复合负极材料的制备方法 [P].

刘文博 ;

饶雪兰 ;

张冀周 ;

刘相江 .

中国专利 :CN115513447A ,2022-12-23

[2]

制备高纯度硅的方法 [P].

T·F·麦努蒂 ;

J·T·勒曼 ;

V·L·劳 ;

F·D·门迪西诺 ;

R·舒巴 ;

M·P·德"伊维恩 ;

L·N·刘易斯 ;

J·海里奇范多格伦 .

中国专利 :CN101848862A ,2010-09-29

[3]

一种包埋富铝纳米颗粒的复合硅粉及其制备方法和应用 [P].

王薇 ;

郭凤祥 ;

王瑶 ;

唐建国 ;

刘继宪 ;

黄林军 ;

焦吉庆 ;

王彦欣 ;

李海东 ;

王久兴 ;

沈文飞 ;

李磊 .

中国专利 :CN108183211A ,2018-06-19

[4]

高纯度硅颗粒材料及制造方法 [P].

马克·洛博达 ;

詹姆斯·J·米勒 ;

威廉·特拉戈·萨维奇 .

美国专利 :CN120190019A ,2025-06-24

[5]

一种硅颗粒材料及其制备锂离子电池负极材料的用途 [P].

卢世刚 ;

丁海洋 ;

张梦杨 ;

杨娟玉 ;

张向军 ;

于冰 ;

潘发好 .

中国专利 :CN109686964A ,2019-04-26

[6]

一种原位复合的硅碳负极及其制备方法 [P].

刘建寅 ;

刘汇源 ;

刘灿新 ;

于存山 .

中国专利 :CN118790973A ,2024-10-18

[7]

一种硅/掺杂硅多孔纳米片的制备方法 [P].

吴平 ;

黄天溢 ;

袁婉怡 ;

陈悦欣 ;

曹鑫 ;

唐亚文 .

中国专利 :CN119660746A ,2025-03-21

[8]

一种耦合石墨烯结构封装硅颗粒的锂离子电池负极材料及其制备方法 [P].

李振伟 ;

于杰 .

中国专利 :CN120473503A ,2025-08-12

[9]

一种改性中空硅微球的无模板制备方法 [P].

李宁 ;

董宇 ;

苏岳锋 ;

陈来 ;

曹端云 ;

马亮 ;

陈峒任 ;

卢赟 ;

黄擎 .

中国专利 :CN113636558A ,2021-11-12

[10]

一种核壳结构硅基负极材料的制备方法 [P].

丁男 ;

林少雄 ;

刘超辉 .

中国专利 :CN112216826A ,2021-01-12

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