制备高纯度硅的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200880022128.0

申请日：

2008-05-20

公开(公告)号：

CN101848862A

公开(公告)日：

2010-09-29

发明(设计)人：

T·F·麦努蒂 J·T·勒曼 V·L·劳 F·D·门迪西诺 R·舒巴 M·P·德"伊维恩 L·N·刘易斯 J·海里奇范多格伦

申请人：

申请人地址：

美国纽约州

IPC主分类号：

C01B33021

IPC分类号：

H01L3102

代理机构：

中国专利代理(香港)有限公司 72001

代理人：

吕彩霞;韦欣华

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2010-11-17	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101016483089 IPC(主分类):C01B 33/021 专利申请号:2008800221280 申请日:20080520
2013-06-19	发明专利申请公布后的视为撤回	发明专利申请公布后的视为撤回号牌文件类型代码:1603 号牌文件序号:101615830480 IPC(主分类):C01B 33/021 专利申请号:2008800221280 申请公布日:20100929
2010-09-29	公开	公开

共 50 条

[1]

高纯度硅的制造方法 [P].

三枝邦夫 ;

山林稔治 .

中国专利 :CN101208267A ,2008-06-25

[2]

高纯度硅的生产方法 [P].

郑智雄 .

中国专利 :CN1221470C ,2004-06-09

[3]

高纯度硅的制造方法 [P].

新宫秀夫 ;

石原庆一 ;

藤原弘康 ;

大冢良达 ;

张进 .

中国专利 :CN1083396C ,1998-08-26

[4]

高纯度硅的制造方法 [P].

大石直明 ;

桥本明 .

中国专利 :CN101497441B ,2009-08-05

[5]

高纯度硅的制造方法 [P].

林田智 .

中国专利 :CN101269814A ,2008-09-24

[6]

高纯度硅材料的制造方法 [P].

周宪忠 .

中国专利 :CN101857232A ,2010-10-13

[7]

制备高纯度多晶硅的方法和设备 [P].

本·菲斯尔曼 ;

戴维·米克森 ;

约克·特索 .

中国专利 :CN102438945B ,2012-05-02

[8]

超临界流体制备高纯度硅的方法 [P].

彭靖 ;

马承愚 ;

彭英利 ;

周玉 .

中国专利 :CN112209381B ,2024-07-02

[9]

超临界流体制备高纯度硅的方法 [P].

彭靖 ;

马承愚 ;

彭英利 ;

周玉 .

中国专利 :CN112209381A ,2021-01-12

[10]

一种制备高纯度硅颗粒的方法 [P].

朱嘉 ;

宗麟奇 ;

崔屹 .

中国专利 :CN105417545B ,2016-03-23

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